第3章二极管及其基本电路.ppt

c.空穴是多数载流子,电子是少数载流子。e.因空穴带正电，称这种半导体为P(positive)型或空穴型半导体。f.因掺入的杂质接受电子，故称之为受主杂质。a.P型半导体是在本征半导体中掺入少量的三价元素杂质形成的。b.P型半导体产生大量的空穴和负离子。小结d.pi×ni=K(T)第30页，共64页，星期日，2025年，2月5日+4+4+4+4+4+4+4+4+4P(2)N型半导体掺入五价元素杂质（如磷等）的杂质半导体第31页，共64页，星期日，2025年，2月5日+4+4+4+4+4+4+4+4+4P第32页，共64页，星期日，2025年，2月5日多出一个电子出现了一个正离子+4+4+4+4+4+4+4+4P第33页，共64页，星期日，2025年，2月5日++++++++++++++++++++++++++++++++++++半导体中产生了大量的自由电子和正离子第34页，共64页，星期日，2025年，2月5日N型半导体形成过程动画演示第35页，共64页，星期日，2025年，2月5日c.电子是多数载流子，简称多子;空穴是少数载流子，简称少子。e.因电子带负电，称这种半导体为N(negative)型或电子型半导体。f.因掺入的杂质给出电子，又称之为施主杂质。b.N型半导体中产生了大量的(自由）电子和正离子。小结d.pi×ni=K(T)a.N型半导体是在本征半导体中掺入少量五价元素杂质形成的。第36页，共64页，星期日，2025年，2月5日N++++++++++++++++++++++++++++++++++++N++++++++++++++++++++++++++++++++++++以N型半导体为基片通过半导体扩散工艺3.2PN结的形成及特性2.PN结的形成1.载流子的漂移与扩散第37页，共64页，星期日，2025年，2月5日使半导体的一边形成N型区，另一边形成P型区。N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------第38页，共64页，星期日，2025年，2月5日(1)在浓度差的作用下，电子从N区向P区扩散。N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------第39页，共64页，星期日，2025年，2月5日(2)在浓度差的作用下，空穴从P区向N区扩散。N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------第40页，共64页，星期日，2025年，2月5日在浓度差的作用下，两边多子互相扩散。在P区和N区交界面上，留下了一层不能移动的正、负离子。小结N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------第41页，共64页，星期日，2025年，2月5日即PN结空间电荷区N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------第42页，共64页，星期日，2025年，2月5日形成内电场内电场方向N+