半导体存储器 (2).pptVIP

FlotoxEEPROM的单元电路采用双管而不是单管单元的目的是为了尽量减少薄氧化层承受高压感应的可能性，以免薄氧化层破坏或使浮栅上的存储电荷漏掉。*第29页，共65页，星期日，2025年，2月5日MNOS结构的EEPROM*第30页，共65页，星期日，2025年，2月5日FlashMemory的工作原理优点:体积小、功耗省、速度快和成本低FlashMemory的结构剖面*第31页，共65页，星期日，2025年，2月5日FlashMemory的工作原理Program：控制栅（CG）和漏接高电平；源和衬底接地。沟道漏端附近产生CHE（ChannelHotElectron）注入浮栅（FG）。*第32页，共65页，星期日，2025年，2月5日FlashMemory的工作原理Erase：控制栅接地或低电平；漏悬空；源接高电平。浮栅上的电子，在沟道源端附近发生FN（Fowler－Nordheim）隧穿，被源端收集。*第33页，共65页，星期日，2025年，2月5日FlashMemory的工作原理(IV特性)ErasedProgrammed*第34页，共65页，星期日，2025年，2月5日半导体存储器的比较*第35页，共65页，星期日，2025年，2月5日EPROM与EEPROM的性能对比EPROMEEPROM用紫外光擦除用电擦除要长时间擦除(半小时)擦除快(?10ns)要有独立的擦除设备系统内编程封装难(要开窗口)封装易对光照反应灵敏对光照不灵敏*第36页，共65页，星期日，2025年，2月5日EEPROM的发展概况1971年第一个浮栅器件问世1972年?提出堆栅MOS器件结构1973年??FRAM关键技术突破1977年???SIMOS结构提出1980年??16kbEEPROM报道1982年?单5VEEPROM报道1986年???256kb单层多晶硅EEPROM出现1987年???FlashEEPROM提出1989年1Mb1mmflashEEPROM问世

1Mb三层多晶硅EEPROM提出1992年????4MbflashEEPROM(0.6mm，三阱CMOS工艺)出现1993年????16MbflashEEPROM(0.6mm，三阱，单层多晶，

多晶硅化物，单层金属)问世；

单层Poly，用标准CMOS工艺做成的单层多晶硅

EEPROM问世；

4MbFRAM问世

*第37页，共65页，星期日，2025年，2月5日EEPROM工艺技术的发展年份/年工艺技术/mm19823.019852.019881.251989119920.6*第38页，共65页，星期日，2025年，2月5日EEPROM存储量的发展年份/年存储容量198216kb198564kb1988256kb19891Mb19924Mb199416Mb*第39页，共65页，星期日，2025年，2月5日EEPROM存储单元面积的变化年份/年存储单元面积/mm219795001982260198754198915.219923.619943.4*第40页，共65页，星期日，2025年，2月5日EPROM、一次编程PROM、EEPROM的性能对比

?UV-EPROM一次编程PROM双管EEPROMFalshmemory封装窗口陶瓷封装塑封塑封塑封擦除时间20min不可擦除1ms100ms编程时间1ms1ms1ms100ms单元面积(2mm规则)64mm264mm2270mm264mm2芯片面积(32kb)32.9mm232.9mm298mm232.9mm2可靠性筛选方法非筛选筛选筛选擦除方法紫外线不能擦除电可擦除电可擦除*第41页，共65页，星期日，2025年，2月5日EEPROM和Flashmemory的性能对比?非挥发性耐久性密度单元中的晶体管数充电机理放电机理编程复杂度擦除引线脚EEPROM有好中双隧道效应隧道效应简单写入时自动擦除少Flashmemory有良好高单热电子发射隧道效应复杂字组擦除多*第42页，共65页，星期日，2025年，2月5日