第3章半导体二极管及其基本应用电路.pptVIP

3.2半导体二极管1.二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型图3.2.1二极管的几种外形2.按工作频率区分：有高频管和低频管。3.按功率区分：有大功率管和小功率管。4.按用途区分：有普通管、整流管、稳压管、开关管等等。第30页，共54页，星期日，2025年，2月5日1.点接触型二极管(a)点接触型二极管的结构示意图3.2.1半导体二极管的几种常见结构PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。第31页，共54页，星期日，2025年，2月5日3平面型二极管往往用于集成电路制造工艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。2面接触型二极管PN结面积大，用于工频大电流整流电路。(b)面接触型4二极管的代表符号D阴极引线阳极引线二氧化硅保护层P型硅N型硅(c)平面型第32页，共54页，星期日，2025年，2月5日3.2.2二极管的伏安特性二极管的伏安特性曲线可用下式表示硅二极管2CP10的伏安特性正向特性反向特性反向击穿特性开启电压：0.5V导通电压：0.71.伏安特性锗二极管2AP15的伏安特性UonU(BR)开启电压：0.1V导通电压：0.2V第33页，共54页，星期日，2025年，2月5日2.温度对二极管伏安特性的影响在环境温度升高时，二极管的正向特性将左移，反向特性将下移。二极管的特性对温度很敏感。–50I/mAU/V0.20.4–2551015–0.01–0.020温度增加第34页，共54页，星期日，2025年，2月5日3.2.3二极管的主要参数1.最大整流电流IF二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2.最高反向工作电压UR二极管工作时允许外加的最大反向电压。通常是击穿电压U（BR）的一半。3.反向电流IR指二极管未击穿时的反向电流。IR与温度有关，越小越好4.最高工作频率fM二极管正常工作时允许通过的交流信号的最高频率,超过此值,二极管的单向导电性将不能很好地体现。第35页，共54页，星期日，2025年，2月5日3.2.4二极管的等效电路1.伏安特性的折线化及等效电路（实线为折线化）理想模型恒压降模型折线模型第36页，共54页，星期日，2025年，2月5日例3.2.1电路如图所示，UD=0.7V，试估算开关断开和闭合输出电压UO。V1=6VV2=12VDSRUo第37页，共54页，星期日，2025年，2月5日应用举例二极管的静态工作情况分析理想模型（R=10k?）VDD=10V时恒压模型（硅二极管典型值）折线模型（硅二极管典型值）设第38页，共54页，星期日，2025年，2月5日AnalogElectronic第3章半导体二极管及其基本应用电路第1页，共54页，星期日，2025年，2月5日3.1半导体的基础知识3.1.1本征半导体1.导体、半导体和绝缘体导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡胶、陶瓷、塑料和石英。半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。第2页，共54页，星期日，2025年，2月5日半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。热敏性和光敏性掺杂性第3页，共54页，星期日，2025年，2月5日+4+4+4+4+4+4+4+4+4完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。价电子共价键图3.1.1本征半导体结构示意图2.本征半导体的晶体结构第4页，共54页，星期日，2025年，2月5日+4+4+4+4+4+4+4+4+4图3.1.2本征半导体中的自由电子和空穴自由电子空穴T?在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。3.本征半导体中的两种载流子（动画1-1）（动画1-2）在绝对0度（T=0K）和没有外