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第一章;;2、半导体的导带，价带和禁带宽度;;〔3〕电子的有效质量与晶体的能带构造有关

利用有效质量可以对半导体的能带构造进

行研究

〔4〕有效质量可以通过盘旋共振实验测得，并

椐此推出半导体的能带构造;4.空穴：空穴是几乎被电子填满的能带中未被电子占据的少数空的量子态，这少量的空穴总是处于能带顶附近。是价电子脱离原子束缚后形成的电子空位，对应于价带顶的电子空位。把半导体中的空穴看成一个带有电荷为+q，并以该空状态相应的电子速度v(k)运动的粒子，它具有正的有效质量，价带中大量电子的导电作用可以用少数空穴的导电作用来描写。

5。直接带隙半导体和间接带隙半导体

直接带隙半导体：导带低和价带顶对应的电子波矢一样

间接带隙半导体：导带低和价带顶对应的电子波矢不一样;二.根本公式;例1、一维晶体的电子能带可写为，

式中a为晶格常数，试求

1、能带宽度；

2、电子在波矢k状态时的速度；

3、能带底部电子的有效质量；

4、能带顶部空穴的有效质量；;1、由;能带宽度为;5、能带顶部;例题2〔44页1题〕;第二章;2。受主杂质，受主能级，受主杂质电离能

受主杂质：能够能够承受电子而在价带中产生空穴，并形成负电中心的杂质，称为受主杂质，掺有受主杂质的半导体叫P型半导体。

受主能级：被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级EA，受主能级位于离价带低很近的禁带中。

受主杂质电离能：价带顶EV与受主能级EA的能量之差?EA=EV-EA就是受主杂质的电离能。受主杂质未电离时是中性的，电离后成为负电中心;;3.本征半导体，杂质半导体，杂质补偿半导体

本征半导体：没有杂质原子且晶体中无晶格缺陷的纯洁半导体

杂质半导体：掺有施主杂质的N型半导体或掺有受主杂质的p型半导体都叫杂质半导体

杂质补偿半导体：同一半导体区域内既含有施主杂质又含有受主杂质的半导体;第三章;3。简并半导体和非简并半导体

简并半导体：掺杂浓度高，对于n型半导体，其费米能级EF接近导带或进入导带中；对于p型半导体，其费米能级EF接近价带或进入??带中的半导体

非简并半导体：掺杂浓度较低，其费米能级EF在禁带中的半导体;二、根本公式;;;4.费米能级公式;5.不同温区载流子浓度和费米能级的计

强电离区;过渡区;高温本征激发区;例题1〔同类型题103页1题〕;例题2

〔a)在热平衡条件下，温度T大于0K，电子能量位于费米

能级时，电子态的占有几率是多少？

(b)假设EF位于EC，试计算状态在EC+kT时发现电子的几率。

;(c)在EC+kT时，假设状态被占据的几率等于状态未

被占据的几率。此时费米能级位于何处？;例题3;(a);(d);温度;第四章半导体的导电性;迁移率与杂质浓度和温度有关，温度增加时，晶格散射增强，迁移率减小；杂质浓度增加时，电离杂质散射作用加强，迁移率减小。

3。什么是载流子的散射？半导体中载流子的有哪两种主要散射机制

没有外场的作用，载流子作无规则的热运动。载流子在半导体中运动时，不断地与热振动的晶格原子或电离的杂质离子发生碰撞，碰撞后载流子的运动速度的大小和方向发生了改变。用波的概念，就是说电子波在半导体中传播时遭到了散射。

半导体中载流子的散射机制：晶格散射和电离杂质散射;4.半导体的电阻率〔或电导率〕与那些因素有关;;第五章非平衡载流子;3.什么是准费米能级？

在非平衡状态下，由于导带和价带在总体上处于非平衡，因此就不能用统一的费米能级来描述导带中的电子和价带中的空穴按能量的分布问题。但由于导带中的电子和价带中的空穴按能量在各自的能带中处于准平衡分布，可以有各自的费米能级

称为准费米能级，准费米能级别离的程度，即

的大小，反映了与平衡态别离的程度;4.解释载流子的产生和复合，直接复合，间接复合，复合率

产生：电子和空穴被形成的过程，如电子从价带跃迁到导

带，或电子从杂质能级跃迁到导带的过程或空穴从

杂质能级跃迁到价带的过程

复合：电子和空穴被湮灭或消失的过程

直接复合：导带电子和价带空穴的直接湮灭过程，能带到能

带的复合。

间接复合：电子和空穴通过禁带中的复合中心的复合

复合率：单位时间单位体积内复合的电子-空穴对数。

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