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磁屏蔽的基本原理综述

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TOC\o1-3\h\u31673磁屏蔽的基本原理综述 1

92331.1、屏蔽因子计算公式 1

277601.2、圆柱型屏蔽因子模型 1

317591.3、磁屏蔽筒材料 3

195001.4、磁屏蔽筒结构 3

295281.5、孔缝对屏蔽效能的影响 4

屏蔽机制主要取决于所使用的材料，根据磁导率和导磁率的特性，主要可分为两种不同的屏蔽机制：电磁屏蔽和磁屏蔽。此外，磁屏蔽原理包括磁通分流机制和涡流感应抵消。前者通常用于保护区或暴露在静态和低频磁场中的设备，而后者用于高频交流磁领域。这里的SERF磁力计主要暴露于地磁场；因此，屏蔽原理是磁通量的调节。屏蔽系数与屏蔽材料、层数和最内层等尺寸参数相关。

1.1、屏蔽因子计算公式

“屏蔽因子”是科研工作者为了更好，更佳直观的评估不同结构、材料、参数的磁屏蔽体的磁屏蔽效果而提出的理论概念。“屏蔽因子”是用于评价磁屏蔽筒屏蔽效应的重要参数，它可以直接明了的反应磁屏蔽筒的磁屏蔽效应。它的公式如下：H0、H2所代表的是外加磁场强度和屏蔽筒内部的磁场强度

（2.1）

屏蔽因子与磁屏蔽筒的屏蔽效能成正比关系，屏蔽因子数值约大，它代表该磁屏蔽筒具有更好的屏蔽效果，屏蔽因子数值越小，则反之。

1.2、圆柱型屏蔽因子模型

图2.1圆柱型屏蔽因子模型

如上图2.1为多层圆柱型磁屏蔽因子模型图，针对没有开孔的有限长的多层结构屏蔽筒的横向屏蔽系数公式如下：

（2.2）

上表达式中，n为磁屏蔽层数，STi和STn分别是第i层和第n层的屏蔽筒横向屏蔽系数；Ri和Ri+1分别第i层和第i+1层的磁屏蔽筒的平均长度。

第i层的SiT表示为：

（2.3）

其中，ui和ti分别是第i层的相对渗透率和厚度。

总轴向屏蔽系数SAtot总定义为:

（2.4）

在上表达式中，SiA和SnA分别是第i层和第n层的轴向屏蔽系数。fi=1+Li/(200Ri)是由于磁屏蔽筒的盖子而产生的修正系数。

第i层SiA的表达式如下：

（2.5）

其中，Li和Ri分别是第i层的外长和半径，并且Li=Li+ti和Ri=Ri+ti。L是第i层的平均长度。R是消磁杆的系数.如下所示:

（2.6）

当开口直径明显小于屏蔽尺寸时，近似计算采用无开孔屏蔽公式是可行的。且已经被其他科研工作者证实。

1.3、球形屏蔽因子模型

单层屏蔽因子模型为：

（2.7）

当μr1且dR0时，可将式（2.7）化简为：

(2.8）

多层屏蔽因子模型为：

（2.9）

1.3、磁屏蔽筒材料

简单来说，材料的磁导率就是挑选导磁材料的重要指标之一，而磁导率就是指在理想下的真空环境中材料的自身导磁属性与外部环境导磁属性的比值。当铁磁材料的材料自身磁导率在100之上，那么我们就把该材料称之为高磁导率材料或者称之为具有软磁属性的材料。在设计磁屏蔽体结构的时候，通常选用这类材料作为其基体材料，因为其磁导率高，损耗低，电阻高，稳定性好，饱和磁感应强度大。

对于屏蔽筒来说，所选择的材料的性能和成本是它的重要指标之一。磁屏蔽材料拥有两个重要特性：众所周知磁导率随频率增加而急剧减小，初始磁导率越高，减小的越快；磁导率随场强增大而变化，当场强增大到一定大时，将会使得磁屏蔽材料出现磁饱和，导致磁屏蔽效能降低。在结合实际操作中的可行性问题以及现在的科学研究之中的成本问题，坡莫合金材料已经称为众多磁屏蔽筒的首选，坡莫合金又叫\t/item/%E5%9D%A1%E8%8E%AB%E5%90%88%E9%87%91/_blank铁镍合金，其含镍量的范围很广，在35%－90%之间。坡莫合金的最大特点是具有很高的弱磁场导磁率[25]。它们的\t/item/%E5%9D%A1%E8%8E%AB%E5%90%88%E9%87%91/_blank饱和磁感应强度一般在