基于LiNbO3单晶与超晶格铁电隧道结的数据存储与神经形态突触功能研究.pdf

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摘要

人工智能和大数据模型的快速发展,使得传统的硅基信息存储器件面临着严

峻挑战。一方面,随着硬件尺寸的不断缩小,传统器件在能耗、散热等方面的问

题愈发突出。另一方面,冯·诺依曼架构中存储与计算单元分离的设计模式,引

发了“存储墙”和“散热墙”等棘手问题。这些问题严重制约着存储技术的持续

发展,迫切需要依托新材料与新器件来突破当前面临的技术瓶颈。铁电材料凭借

电可控的自发极化特性,被视为新一代信息存储器件的理想候选者。基于铁电性

设计的铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管,因具有破坏性读取以及半导体

/氧化

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