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2021长鑫存储社招跳槽在线笔试高频考题及答案.doc

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    2021长鑫存储社招跳槽在线笔试高频考题及答案

    一、单项选择题，(总共10题，每题2分)。

    1.在半导体存储器中，DRAM与SRAM的主要区别在于（）。

    A.存储容量

    B.读写速度

    C.是否需要刷新

    D.功耗大小

    2.以下哪种工艺技术可以显著提高芯片的集成度？（）

    A.光刻技术

    B.刻蚀技术

    C.离子注入

    D.化学机械抛光

    3.在存储器测试中，MarchC算法主要用于检测（）。

    A.耦合故障

    B.地址译码故障

    C.存储单元故障

    D.电源噪声故障

    4.下列哪项不是NANDFlash存储器

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