人工智能芯片开发与应用手册（执行版）.docxVIP

芯片开发与应用手册（执行版）

第1章芯片架构与硬件设计

1.1先进制程工艺与晶体管演进

随着摩尔定律逼近物理极限，28nm及以下制程已难以满足高性能计算需求，业界正加速向7nm、5nm及3nm节点演进。在7nm工艺中，晶体管栅极长度约为7nm，通过氧氮化硅（OxN）栅极结构，有效降低了漏电流，使单颗晶体管功耗控制在0.3pJ以内，而3nm节点则进一步将功耗压缩至0.15pJ以下，这是实现高能效比推理的关键基础。晶体管结构的演变直接决定了芯片的集成度与速度。以5nm工艺为例，其晶体管宽度通常被设计为5nm左右，配合高介电常数（High-k/Me