通信光互联行业：CW激光器重构全球光芯片产业格局，IDM模式构建产业链壁垒-.pptxVIP

CW激光器芯片功能定位：大功率分路供能，实现降本及简化封装。硅光模块所用的CW光源，是以大功率DFB激光器作为独立外置光源，单独配置在PIC之外，输出的连续光通过波导结构导入PIC，由硅光平台上的调制器完成信号调制。相比EML芯片，CW激光芯片由于专注于稳定光生成，无需集成调制器，设计难度有所降低。硅光架构下，用少量几颗大功率CW激光器“分路”供能，同样速率光模块产品所需激光器芯片数量将减少，尽管单个高功率激光器价值提升，但单个产品中的整体价值将有所下降，实现节省成本和简化封装。

CW激光器设计：材料特性与波导结构是性能优化的关键。在CW激光器芯片设计阶段，有源区材料体系的选择对激光器性能，尤其是高温性能，起决定性作用。目前有两种主流有源区材料：InGaAlAs（铝镓铟砷）和InGaAsP（铟镓砷磷）。InGaAlAs（铝镓铟砷）高温工作性能较好，但外延生长和后续工艺（特别是掩埋再生长）难度更大。除了有源区材料体系，光波导结构设计同样影响激光器性能。光波导制作利用光刻技术定义微米级光波导结构，以在激光器芯片内形成光传输通道。目前，掩埋型异质结（BH）和脊型波导（RWG）是业内两种主流的波导结构设计。脊型波导RWG制造较简单但光限制效率较低；埋入异质结构提供更好的光限制和更高输出功率但需要更复杂的制造步骤。

激光芯片制造价值链：外延生