ZnO基材料的择优取向生长调控与异质结界面能带结构解析.docx

ZnO基材料的择优取向生长调控与异质结界面能带结构解析

一、引言

1.1ZnO基材料的研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，ZnO基材料凭借其独特的物理性质和卓越的性能，占据着极为重要的地位，成为了科研人员深入研究的焦点。ZnO作为一种直接带隙的宽禁带半导体材料，室温下其禁带宽度高达3.37eV，这一特性使其在短波长光电器件领域展现出巨大的应用潜力。与此同时，ZnO还拥有高达60meV的激子结合能，这使得激子在室温环境下能够稳定存在，为实现室温乃至更高温度下的高效激子受激发光创造了有利条件，也让ZnO成为制备紫蓝光发光二极管（LEDs）和激光器（LDs）等短波长光电器