N沟道增强型MOSFET APM2509NU特性与应用.pdf

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APM2509NU

N沟道增强型MOSFET

特性引脚描述

25V/50A,RDS(ON)=7.5m(典型

值)@VGS=10VRDS(ON)=13m(典型

值)@VGS=4.5V

•密度单元设计

•雪崩额定

TO‑252的顶视

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