APM2509NU
N沟道增强型MOSFET
特性引脚描述
25V/50A,RDS(ON)=7.5m(典型
值)@VGS=10VRDS(ON)=13m(典型
值)@VGS=4.5V
•密度单元设计
•雪崩额定
TO‑252的顶视
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