颗粒硅总金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法标准研究报告.docxVIP

YS/T1755-2025颗粒硅总金属杂质含量的测定电感耦合等离子体质谱法标准发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportonStandardYS/T1755-2025:DeterminationofTotalMetalImpurityContentinGranularSiliconbyInductivelyCoupledPlasmaMassSpectrometry

摘要

本报告围绕有色金属行业标准YS/T1755-2025《颗粒硅总金属杂质含量的测定电感耦合等离子体质谱法》的制定背景、技术内容、行业意义及未来展望进行系统阐述。随着光伏产业和半导体行业的快速发展，颗粒硅作为多晶硅生产的重要中间产品，其纯度直接关系到下游硅片、电池及组件的性能与可靠性。传统金属杂质检测方法存在灵敏度不足、多元素同时分析困难等问题，难以满足高纯颗粒硅的质量控制需求。本标准基于电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）技术，建立了适用于颗粒硅中总金属杂质含量的测定方法，涵盖样品前处理、仪器条件优化、干扰消除及质量控制等关键环节。通过方法验证与比对实验，本标准在检出限、精密度和准确度方面均达到国际先进水平，填补了国内颗粒硅金属杂质检测领域的标准空白。本标准的发布实施，将有效规范颗粒硅产品的质量检测流程，提升我国多晶硅行业的技术水平与