CN119843355A 能定量加料的碳化硅生长炉和碳化硅生长方法 (苏州优晶半导体科技股份有限公司).pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约2.63万字
  • 约 20页
  • 2026-05-24 发布于重庆
  • 举报

CN119843355A 能定量加料的碳化硅生长炉和碳化硅生长方法 (苏州优晶半导体科技股份有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119843355A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202510315478.1

(22)申请日2025.03.18

(71)申请人苏州优晶半导体科技股份有限公司

地址215300江苏省苏州市昆山市开发区

杜鹃路555号A6#厂房

申请人江苏科技大学

(72)发明人袁长路陈建明赵文超张江涛

张礼华陈曙光王叶松裴永胜

(74)专利代理机构北京超凡宏宇知识产权代理

有限公司11463

专利代理师赵亚楠

(51)Int.Cl.

C30B23/00(2006.01)

C30B29/36(2006.01)

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档