2023芯片行业研发岗招聘笔试真题及知识点梳理.docVIP

2023芯片行业研发岗招聘笔试真题及知识点梳理

一、单项选择题，(总共10题，每题2分)

1.在28nm工艺节点以下，导致短沟道效应最显著的本征物理量是

A.漏极电压B.栅氧厚度C.沟道掺杂D.沟道长度

2.对FinFET器件而言，决定亚阈值摆幅上限的关键结构参数是

A.Fin高度B.Fin宽度C.栅极长度D.源/漏外延厚度

3.在数字标准单元库建立时，用于描述输入端口电容的.lib字段是

A.rise_capacitanceB.input_thresholdC.capacitanceD.max_transition

4.以下哪项不是DFT扫描链插入阶段必须避免的结构性问题

A.组合环B.异步置位C.多驱动D.三态总线竞争

5.对于DDR4-3200，数据眼图在接收端允许的最大抖动峰峰值（UI单位）规范为

A.0.15B.0.25C.0.35D.0.45

6.在16nmCMOS中，金属层M2采用单向布线，其最小线宽0.064μm，最小间距0.064μm，则该层RC延迟主导因子是

A.导线电阻B.导线电容C.通孔电阻D.边缘电容

7.在逻辑综合阶段，设置“set_max_area0”并配合