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2025年中国电子科技练习题（附答案）

考生注意事项

1.答题前，考生须在试题册指定位置填写考生编号和姓名；在答题卡指定位置填写报考单位、考生编号、姓名，并粘贴考生信息条形码。

2.选择题的答案必须使用2B铅笔填涂在答题卡对应题号的位置上，非选择题的答案必须使用黑色字迹签字笔书写在答题卡对应题号的答题区域内，超出答题区域书写的答案无效；在草稿纸、试题册上答题无效。

3.考试结束后，将试题册和答题卡一并交回。

一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分。下列每小题给出的四个选项中，只有一个选项符合题目要求）

1.本征硅晶体在温度为300K时的禁带宽度约为（）

A.0.66eVB.1.12eVC.1.42eVD.2.26eV

2.对于N型半导体，当温度处于电离区与本征激发区之间的饱和区时，其多数载流子浓度主要取决于（）

A.本征载流子浓度B.受主杂质掺杂浓度C.施主杂质掺杂浓度D.温度的指数变化

3.某BJT晶体管工作在放大区，若基极电流从10μA增加到15μA时，集电极电流从1mA增加到1.6mA，则该晶体管的电流放大系数β约为（）

A.100B.120C.160D.60

4.下列MOSFET的亚阈值特性描述中，正确的是（）

A.亚阈值区漏极电流与栅源电压呈线性关系

B.