2026年大学(电气工程及其自动化)电力电子技术应用综合测评试题及答案.docxVIP

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2026年大学(电气工程及其自动化)电力电子技术应用综合测评试题及答案.docx

2026年大学(电气工程及其自动化)电力电子技术应用综合测评试题及答案

一、单项选择题(每题2分,共20分)

1.在IGBT的静态输出特性曲线中,当栅极电压u_GE小于阈值电压U_GE(th)时,器件处于

A.饱和区??B.截止区??C.有源区??D.击穿区

答案:B

2.三相两电平电压源逆变器采用SPWM调制,若直流母线电压为U_d,调制比m=1.0,则输出线电压基波幅值为

A.??B.??C.??D.

答案:A

3.下列哪种器件的驱动功率最小

A.SCR??B.GTO??C.MOSFET??D.IGBT

答案:C

4.在Buck-Boost变换器中,若占空比D0.5,则输出电压极性相对于输入电压

A.相同??B.相反??C.为零??D.随机

答案:B

5.单相全桥逆变器采用双极性SPWM,载波频率为10kHz,调制波频率为50Hz,则输出电压谐波主要出现在

A.50Hz??B.10kHz??C.9.95kHz与10.05kHz??D.20kHz

答案:C

6.下列关于同步整流技术的说法,错误的是

A.可显著降低整流损耗??B.适用于低压大电流输出??C.需精确控制MOSFET时序??D.只能用于不连续导通模式

答案:D

7.在NPC三电平逆变器中,若直流母线中点电位漂移,最可能出现的故障现象是

A.输

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