真空蒸发镀膜蒸镀.pptVIP

§8.2物理汽相沉积（PVD）;一、真空蒸发镀膜（蒸镀）;1.物理基础;（2）封闭体系内的P—T关系：;图8.2.2几种材料的蒸气压——温度曲线;（3）蒸发速率和凝结速率;②凝结速Na：

——蒸发源对基片单位面积的沉积速率。

Na与系统的几何形状、源与基片的相对位置、蒸发速率有关

设：a.忽略碰撞，直线运动；b.;（4）蒸发制膜的厚度;(9)代入(7)，可得：;2.残存气体对制膜的影响;3.蒸镀分馏问题;4.蒸发源类型;（2）电子束加热蒸发源;优点:

（1）可以直接对蒸发材料加热；

（2）装蒸发料的容器可以是冷的或者用水冷却，从而可避免材料与容器的反应和容器材料的蒸发；

（3）可蒸发高熔点材料，例如：钨（Tm=3380℃）、钼(Tm=2610℃)和钽（Tm=3000℃）等耐热金属材料。

缺点：

（1）装置复杂；

（2）只适合于蒸发单元元素；

（3）残余气体分子和蒸发材料的蒸气会部分被电子束电离。;5.真空蒸镀工艺;（2）蒸镀难熔化合物膜——多数会分解;7.分子束外延(MolecularBeamEpitaxy,缩写为MBE);图8.2.6分子束外延装置;（3）影响因素;二、溅射镀膜;（3）特点：;2.辉光放电