CN119605318A 制造用于等离子体源的等离子体产生单元的方法 (应用材料公司).docxVIP

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  • 2026-05-25 发布于山西
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CN119605318A 制造用于等离子体源的等离子体产生单元的方法 (应用材料公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119605318A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202380050658.0

(22)申请日2023.06.27

(30)优先权数据

17/853,5842022.06.29US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2024.12.27

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2023/0263392023.06.27

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/006273EN2024.01.04

(71)申请人应用材料公司

地址美国加利福尼亚州

(72)发明人大卫·约翰·约翰逊吴菅弗拉基米尔·纳戈尔尼

雨果·里维拉

(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理

有限公司11006

专利代理师徐金国吴启超

(51)Int.Cl.

H05H1/24(2006.01)

H01J37/32(2006.01)

权利要求书2页说明书12页附图8页

(54)发明名称

制造用于等离子体源的等离子体产生单元

的方法

(57)摘要

CN119605318A一种制造介电阻障放电(DBD)结构的方法,包括围绕在由介电材料组成的基板的外周边形成图案化电极层。图案化电极层包括围绕基板的外周边的多个电极和相邻电极之间的间隙。所

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