CN119605328A 堆叠互补场效应晶体管（cfet）及其制造方法 （高通股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119605328A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202380045960.7

(22)申请日2023.05.31

(30)优先权数据

17/812,3002022.07.13US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2024.12.09

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2023/0239772023.05.31

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/015154EN2024.01.18

(71)申请人高通股份有限公司地址美国加利福尼亚州

(72)发明人李夏杨斌

(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所

11256

专利代理师姚宗妮

(51)Int.Cl.

H10D84/03(2025.01)

H10D84/40(2025.01)

H10D84/85(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D30/43(2025.01)

H10D30/67(2025.01)

权利要求书2页说明书13页附图24页

(54)发明名称

堆叠互补场效应晶体管（CFET）及其制造方

法

(57)摘要

一种堆叠全环绕栅极(GAA)互补场效应晶体管(CFET)，