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掩膜版制造工发展趋势模拟考核试卷含答案

一、单项选择题（本大题共15小题，每小题1分，共15分。在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填涂在答题卡上。）

1.在掩膜版制造工艺中，随着半导体制程节点向7nm及以下推进，光刻光源波长发生了显著变化。目前最先进的极紫外（EUV）光刻技术所使用的光源波长约为（）。

A.193nm

B.248nm

C.13.5nm

D.365nm

2.掩膜版基板材料的选择对热膨胀系数（CTE）有极高要求。为了减小因温度变化导致的关键尺寸（CD）误差，高端光掩膜基板通常采用的是（）。

A.钠钙玻璃

B.低热膨胀系数石英玻璃

C.硼硅酸盐玻璃

D.聚碳酸酯

3.在电子束光刻（EBL）写入设备中，为了提高高阶节点掩膜版的写入效率，目前主流的发展趋势是采用（）技术。

A.高斯束

B.变形束（VSB）

C.多电子束光刻（MEB）

D.激光直写

4.关于EUV掩膜版的结构，与传统的二元掩膜（BinaryMask）或相移掩膜（PSM）最大的不同在于其反射层结构。EUV掩膜版通常包含多少对钼/硅（Mo/Si）多层膜以实现对13.5nm光的高反射率？（）

A.10-20对

B.40-50对

C.80-100对

D.200对以上

5.在掩膜版制造的发展趋势中，为了解决由于光学邻近效应（OPE）导致的图形