CN119615122A 原子层沉积方法及沉积制程的系统 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119615122A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202411892163.5

(22)申请日2017.04.28

(30)优先权数据

62/434,9752016.12.15US

15/433,7392017.02.15US

(62)分案原申请数据

201710293262.52017.04.28

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址中国台湾新竹市新竹科学工业园区力

行六路八号

(72)发明人蔡俊雄游国丰范彧达

(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理

有限公司11006

专利代理师徐金国

(51)Int.Cl.

C23C16/455(2006.01)

C23C16/513(2006.01)

C23C16/52(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图8页

(54)发明名称

原子层沉积方法及沉积制程的系统

(57)摘要

CN119615122A根据一例子，一种改良型等离子强化原子层沉积方法包括于基材上进行沉积制程的多个第一沉积循环，以及在进行多个第一沉积循环后，进行等离子强化层沉积循环。等离子强化层沉积循环包含等离子处理制程。多个第一层沉积循环

CN119615122A

CN119615