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- 2026-06-09 发布于北京
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APM2030NU
N沟道增强型MOSFET
特性引脚描述
•20V/6A,RDS(ON)=28m(典型值)
@VGS=4.5VRDS(ON)=38m(典型值)
@VGS=2.5VGD
•密度单元设计S
•可靠且坚固
TO‑252顶部视图
•无铅可用(符合RoHS)
D
应用
•台式电脑或
G
DC/DC转换器中的电源管理
APM2030NU
N沟道增强型MOSFET
特性引脚描述
•20V/6A,RDS(ON)=28m(典型值)
@VGS=4.5VRDS(ON)=38m(典型值)
@VGS=2.5VGD
•密度单元设计S
•可靠且坚固
TO‑252顶部视图
•无铅可用(符合RoHS)
D
应用
•台式电脑或
G
DC/DC转换器中的电源管理
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