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- 2026-06-09 发布于北京
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polyfet射频器件
SQ201
一般描述
专为宽带射频应用设计的硅硅栅增强模式
VDMOS和LDMOS晶管。
体
适用于无线电、蜂窝和寻呼放射频功率VDMOS晶体管8.0瓦推
大、广播FM/AM、MRI、激挽封装样式AQ高效率、线增
光驱动器等应用。
益、低噪声符合RoHS
PoltTM工艺具有低反馈电容
yfe
和输出电容，因此能够实现高Ft晶体
管，具有高输入阻抗和高效率。
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