电子信息技术与产业发展手册.docx

电子信息技术与产业发展手册

第1章电子信息技术基础理论

1.1半导体物理与器件原理

半导体材料的能带结构决定了其导电性质，本章节将深入探讨本征半导体在热激发下的电子跃迁机制。以硅（Si）为例，其禁带宽度（$E_g$）约为1.12eV，在室温（300K）下，每个硅原胞平均有$3\times10^{23}$个价电子参与导电，其中约1/6为自由电子，1/2为空穴，载流子浓度达到$1.5\times10^{10}\text{cm}^{-3}$。掺杂是调控半导体导电类型的核心手段，本小节将介绍P型和N型半导体的形成原理及杂质能级分布。当掺入磷（P）原子形成