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缺陷对反铁磁斯格明子动力学的影响：微观机制与应用前景

一、引言

1.1研究背景

在当今信息技术飞速发展的时代，自旋电子学作为一个极具潜力的领域，正逐渐成为研究的焦点。自旋电子学旨在利用电子的自旋属性来实现信息的存储、处理和传输，与传统的电子学相比，它具有更高的速度、更低的能耗和更大的存储密度等优势，被认为是未来信息技术发展的重要方向。

反铁磁斯格明子作为自旋电子学中的一种关键拓扑自旋结构，因其独特的物理性质而备受关注。反铁磁材料中，相邻原子的磁矩呈反平行排列，整体磁矩为零，这使得反铁磁斯格明子具有一些区别于其他磁性结构的特点。其自旋结构具有拓扑保护特性，这意味着在一定条件下，反铁磁斯格明子