CN119678072A 用于盖革模式雪崩光电二极管（apd）焦平面阵列（fpa）中击穿电压校正的系统和方法 （Lg伊诺特有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119678072A

(43)申请公布日2025.03.21

(21)申请号202380057307.2

(22)申请日2023.06.02

(30)优先权数据

17/832,2702022.06.03US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.27

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/KR2023/0076562023.06.02

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2023/234755EN2023.12.07

(71)申请人LG伊诺特有限公司地址韩国首尔市

(72)发明人