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探秘硫族化汞团簇：结构与电子性质的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学的前沿领域中，半导体材料一直占据着举足轻重的地位，其卓越的电学、光学等物理性质，使其成为现代电子学、光电子学等众多领域发展的基石。其中，II-VI族半导体量子点以其独特的量子尺寸效应、表面效应和量子限域效应，展现出了与传统体相材料截然不同的物理特性，在发光二极管、光电探测器、太阳能电池等光电器件中展现出了巨大的应用潜力，吸引了众多科研工作者的目光。

硫族化汞（HgS、HgSe、HgTe）团簇作为II-VI族半导体材料家族中的重要成员，因其与II-VI族半导体量子点性质极为相近，近年来受到了广泛的