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CN119673924A 半导体结构及其形成方法 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.docxVIP

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  • 2026-06-09 发布于山西
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CN119673924A 半导体结构及其形成方法 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119673924A

    (43)申请公布日2025.03.21

    (21)申请号202311212634.9

    (22)申请日2023.09.19

    (71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

    地址201203上海市浦东新区中国（上海）

    自由贸易试验区张江路18号

    (72)发明人尹悦神兆旭吕晶晶

    (74)专利代理机构上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31327

    专利代理师高静

    (51)Int.Cl.

    H01L23/64(2006.01)

    H01L23/522(2006

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