《GBT 43894（2）-2026半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA）》 (1)PPT课件.pptxVIP

《GB/T43894（2)-2026半导体晶片近边缘几何形态评价第2部分：边缘卷曲法（ROA）》

目录

02

ROA方法原理

01

标准概述

03

评价流程步骤

04

结果分析方法

05

实际应用与验证

06

实施与维护

标准概述

01

标准背景与制定目的

技术需求驱动

随着半导体晶片直径增大至300mm，近边缘区域的几何形态对芯片良率影响显著，需建立统一评价方法以解决研磨、抛光工艺导致的边缘卷曲问题。

国产化标准缺失

国内12英寸硅片高度依赖进口，亟需制定自主标准以支撑本土产业链技术升级，填补SEMIM77-1015之外的本土化评价体系空白。

产业协同发展

由山东有研半导体牵头，联合多家企业实验室验证，旨在为晶片生产商与集成电路制造商提供可量化的边缘形态评价依据。

明确针对6-12英寸半导体晶片（以硅片为主）的近边缘区域，涵盖抛光片、外延片等类型，排除切口区域和基准线段外的其他部位。

详细规定边缘卷曲量（ROA）的计算方法，即晶片边缘相对于理想参考平面的垂直偏离量，需通过高精度轮廓仪测量径向高度数据。

强调洁净度需符合GB/T25915.1标准，温度控制在23±1℃，湿度低于60%RH以减少环境因素对测量结果的干扰。

要求使用接触式或非接触式轮廓仪，采样点间距不大于1mm，并规定原始数据需进行高斯滤波等预处理步骤。

适用范围与核心定义

适用对象

关键参数定义

测试环境要求