CN119830745A 一种结合工艺参数的半导体设备电磁兼容建模方法及系统 (北京理工大学).pdfVIP

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  • 2026-06-09 发布于重庆
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CN119830745A 一种结合工艺参数的半导体设备电磁兼容建模方法及系统 (北京理工大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119830745A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202411914044.5G06F30/17(2020.01)

G06T17/20(2006.01)

(22)申请日2024.12.24

G06N3/048(2023.01)

(71)申请人北京理工大学

G06N3/084(2023.01)

地址100081北京市海淀区中关村南大街5

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