CN119673759A 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序制品 (株式会社国际电气).docxVIP

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  • 2026-06-09 发布于山西
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CN119673759A 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序制品 (株式会社国际电气).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119673759A

(43)申请公布日2025.03.21

(21)申请号202411852235.3

(22)申请日2020.07.21

(30)优先权数据

2019-1409912019.07.31JP

(62)分案原申请数据

202010704261.72020.07.21

(71)申请人株式会社国际电气地址日本东京都

(72)发明人早稻田崇之中川崇中谷公彦出贝求桥本良知

(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256

专利代理师牛蔚然

(51)Int.Cl.

H0

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