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CN119673760A 半导体衬底裂纹缓解系统和相关方法 （半导体元件工业有限责任公司）.docxVIP

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  • 2026-06-09 发布于山西
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CN119673760A 半导体衬底裂纹缓解系统和相关方法 （半导体元件工业有限责任公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119673760A

    (43)申请公布日2025.03.21

    (21)申请号202411876784.4

    (22)申请日2019.04.26

    (30)优先权数据

    15/964,4842018.04.27US(62)分案原申请数据

    201910341337.12019.04.26

    H10D62/83(2025.01)

    H10D62/10(2025.01)

    (71)申请人半导体元件工业有限责任公司地址美国

    (72)发明人M·J·塞登

    (74)专利代理机构中国贸促会专利商标事务所

    有限公司

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