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电子材料与器件习题解析试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

1.本征半导体中，载流子的主要来源是（）。

A.施主杂质电离

B.受主杂质电离

C.价带电子跃迁到导带

D.晶格振动产生

2.PN结加反向偏置时，空间电荷区宽度会（）。

A.不变

B.变宽

C.变窄

D.随电压线性变化

3.MOSFET的开启电压（阈值电压）主要取决于（）。

A.栅极材料

B.衬底掺杂浓度

C.栅氧化层厚度

D.沟道长度

4.在N型半导体中，多数载流子是（）。

A.电子

B.空穴

C.正离子

D.负离子

5.载流子迁移率与温度的关系是（）。

A.随温度升高持续增大

B.随温度升高持续减小

C.随温度升高先增大后减小

D.不随温度变化

6.LED的发光原理基于（）。

A.电致发光

B.光致发光

C.热致发光

D.化学发光

7.双极型晶体管的电流放大系数β定义为（）。

A.IC/IB

B.IE/IC

C.IB/IC

D.IE/IB

8.本征载流子浓度ni与温度的关系是（）。

A.随温度升高线性增大

B.随温度升高指数增大