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CN119673779A 一种键合焊盘引出式Mos芯片结构及其封装方法 （合肥矽迈微电子科技有限公司）.docxVIP

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  • 2026-06-09 发布于山西
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CN119673779A 一种键合焊盘引出式Mos芯片结构及其封装方法 （合肥矽迈微电子科技有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119673779A

    (43)申请公布日2025.03.21

    (21)申请号202510199774.X

    (22)申请日2025.02.24

    (71)申请人合肥矽迈微电子科技有限公司

    地址230094安徽省合肥市高新区习友路

    3699号

    (72)发明人张光耀

    (51)Int.Cl.

    H01L21/48(2006.01)

    H01L23/367(2006.01)

    H01L23/49(2006.01)

    H10D64/01(2025.01)

    H10D64/27(2025.01)

    权利要求书2页

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