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CN119677139A 一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制备方法 （中国科学院微电子研究所）.docxVIP

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  • 2026-06-09 发布于山西
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CN119677139A 一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制备方法 （中国科学院微电子研究所）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119677139A

    (43)申请公布日2025.03.21

    (21)申请号202311211754.7

    (22)申请日2023.09.19

    (71)申请人中国科学院微电子研究所

    地址100029北京市朝阳区北土城西路3号

    (72)发明人陆江宋文君唐俊刘涛周思瑶张国欢李博

    (74)专利代理机构北京知迪知识产权代理有限

    公司11628

    专利代理师王胜利

    (51)Int.Cl.

    H10D30/66(2025.01)

    H10D62/10(2025.01)

    H10D

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