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EMI常用對策方式及 EMI 設計簡介 EMC簡介 EMC簡介 EMC簡介 EMC簡介 EMC簡介 EMI的發生和傳播路徑 EMI的發生和傳播路徑 EMI的發生和傳播路徑 EMI的發生和傳播路徑 EMI的發生和傳播路徑 EMI的發生和傳播路徑 EMI的發生和傳播路徑 EMI的發生和傳播路徑 EMI的發生和傳播路徑 EMI的發生和傳播路徑 EMI的發生和傳播路徑 EMI 對策原理 EMI 對策原理 2. EMI對策思路 (1) 從根源入手,從源頭上將輻射能量降低 例如:時鐘crystal引角串入電阻,clock線上串入磁珠電阻等 (2) 破壞或改變輻射乾擾的路徑 減少耦合機制,通常當trace 為干擾信號頻率的λ/4時干擾最強,可以改 動走線或加強濾波 (3) 輻射機制的破壞: 減少縫隙,加強濾波,改變線的位置 EMI 對策原理 EMI 對策原理 上述工作完成之後EUT Fail的頻點仍然很高需要查找其根源Source進行細步診斷. （利用频谱分析仪及电场磁场探棒） 一. 以磁場探棒探測電路板上各主要部分元件雜訊乾擾的強度比較找到高點. 二. 以電場探棒或探針探測一步中主要部分的元器件引腳連接器比較找到高點. 上述找到乾擾的源頭與傳播路徑,相關天線根據實際情況進行相關的對策處理 EMI 對策原理 EMI 對策原理 在处理EMI問題時對策修改方法往往不只是一種，可以針對產品的实际情况,選擇量產時可實施较好，成本较低的方式。 5. EMI常用的對策處理方法 (1). 屏蔽:外部採用金屬外殼或PCB上主振蕩放大部分主IC SDRAM加屏蔽罩﹔ 塑料外殼內部噴涂導電漆或采用電鍍外殼. (2). 接地: 加粗PCB板上的地線﹔增大PCB板與金屬外殼的接地面積﹔乾擾較大主IC背面地可用導電泡棉或金屬彈片直接接地﹔將干擾直接導入入地改變接地點,改變乾擾路徑,縮小迴路面積. EMI 對策原理 EMI 對策原理 EMI 對策原理 EMI Conduction對策方法 ESD的對策方法 EMI 對策原理 EMI 設計 EMI 設計 EMI 設計 EMI 設計 EMI 設計 EMI設計 EMI設計 EMI設計 EMI 設計 EMI 設計 EMI 設計 EMI 設計 EMI 設計 EMI設計 整體結構上設計 (1) 機器外殼屏蔽處理 a. Metal:開孔方式以不規則及小圓孔的原則,避免长缝隙，接縫處要充分密合滴水不漏,密不透風,絕緣漆不要噴到机壳內表面，螺丝接触处。 b. Plastic: 噴導電漆在內殼，接縫處上下蓋接觸面積加大，接触良好。 (2) 機器內部電源線和信号线處理 a. short b.core(for below300MHZ noise) c.shielding(for above 300MHZ noise) (3) 機器外部電源線和信号线處理 a. short b.core(for below300MHZ noise) c.shielding(for above 300MHZ noise) PCB板上設計 (1) PCB板上元件的擺設布置 I/O口應遠離 主IC, SDRAM及較高頻率的晶振，相互作用的元件儘量放一起, 維持最短路徑擺放;晶振电路尽量靠近其主IC;PCB板各端口的插接線避免交叉跨越電路主板,避免 交互干擾，相互耦合。 (2)Ground處理,Analog與Digital安排分開 CPU處地與其它地切割开串入滤波，使高雜訊區隔離,（如地面积很大不用切割）I/O端口地适当切割，为低频雜訊提供Bypass干擾地，I/O connector地與金屬機殼密合, Main board 利用螺絲孔使內層Ground和金屬機殼連接.地層儘量布大,消除懸空地,增多接地過孔。 (3)濾波設計 Source处理: Bypass capacitor(20P-100P) Bead(500Ω) Resistor(22-47Ω) I/O Port处理: Bypass((20P-100P) Bead(阻抗500 Ω) Resistor(2247 Ω)