InGaZnOTFT和InTiZnOTFT的制备及其性能研究.pdf

摘 要 film 薄膜晶体管(Thintransistors，TFT)是一种绝缘栅型场效应晶体管。近年来， 对氧化物TFT的研究异军突起并取得了很大的进展，这主要是因为氧化物11FT具有 较高的载流子迁移率、较好的均匀性和较高的稳定性等优点，对推动有源矩阵的液晶 显示器(Liquidcrystal display,LCD)和发光二极管(1ight-emittingdiode，LED)等的发展 具有重要作用，因此，开展对氧化物’rFT的研究具有重要意义。 首先，本论文采用脉冲激光沉积设备制备了InGaZnO薄膜并研究了其性能随氧 气压强、靶材元素的比例和氧气流量的变化。研究发现：在低氧气压强下制备的 性能影响较大：不同Zn浓度的薄膜均为非晶的，当元素比例为l：1：1时，薄膜具有最 低的粗糙度和最小的颗粒尺寸。薄膜的载流子浓度和电阻率随ZII浓度的增大而减小， 薄膜的载流子迁移率随Zn浓度的增大而增大；薄膜的表面形貌和电学性质随氧气流 量变化明显。当氧气流量为29．8SCCM时，薄膜具有最佳的表面形貌和电学性质。 其次，为了更好的研究TFT，我们研究了通过热氧氧化方法生长了Si02绝缘层。 研究结果表明，1000。C生长1 h的Si02具有非常光滑的表面，且表现出了较好的介电 性能和较低的漏电流，其完全符合制作TFT器件绝缘层的条件。 然后，在研究InGaZnO薄膜的基础上，成功制备了以Si02为绝缘层的 InGaZnO·TFT。分别研究了退火、时间、氧气压强、Zn浓度和氧气流量对器件性能 的影响。研究发现：退火提高了器件的各个电学性能参数；器件的开关比和场效应迁 移率随时间先增大后减小，器件的阈值电压和亚阈值摆幅随着时间的延长一直在增 大，器件的开关比和场效应迁移率均随氧气压强的增大先增大后减小，其中最佳的氧 气压强为25 mTorr；器件的电学性能随氧气流量的增大先变好后变差，当氧气流量为 9．8seem时，TFT具有最好的电学性能，其开关比为1010。此器件的开关比优于大多 数国内外研究邗T器件的开关比。 器件。分别研究了沟道层厚度、氧气压强和激光退火对器件的影响。研究发现：最佳 的沟道层厚度为150nm，最佳的制作压强为35mTorr，激光退火可以现在提高器件 的电学性能，100 mJ激光能量下，退火5次时，器件性能最佳。 关键词：铟镓锌氧，脉冲激光沉积，铟钛锌氧，二氧化硅，薄膜晶体管 Abstract ’Ihmfilmtransistor akindoffield—effectdevice．Inrecent of CrF’I．)IS years，because its andexcellent researchofoxideTFThas highmobility,gooduniformity stability,the all rolein the ofactive gainedhugeprogress．Itplaysimportantpromotingdevelopment and of matrix activematrix diode．Sotheresearch liquidcrystaldisplay light-emitting oxideⅡTis far-reaching． thinfilmswere atdifferent Firstly,InGaZnOprepared oxygenpressures，different elementratios ordifferentflowsPLDandtheresultswere oftarget oxygenb