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光纤通信技术;第 4 章 光发送机;4.1 光源;光纤通信系统对光源的要求; 4.1.1 半导体激光器工作原理和基本结构
半导体激光器是向半导体PN结注入电流, 实现粒子数反转分布,产生受激辐射,再利用谐振腔的正反馈,实现光放大而产生激光振荡的。;受激辐射和粒子数反转分布
有源器件的物理基础是光和物质相互作用的效应。
在物质的原子中,存在许多能级,最低能级E1称为基态,能量比基态大的能级Ei(i=2, 3, 4 …)称为激发态。
电子在低能级E1的基态和高能级E2的激发态之间的跃迁有三种基本方式:受激吸收 自发辐射 受激辐射;hf12;(b) 自发辐射;;hf12; (1)受激吸收
在正常状态下,电子处于低能级E1,在入射光作用下,它会吸收光子的能量跃迁到高能级E2上,这种跃迁称为受激吸收。电子跃迁后,在低能级留下相同数目的空穴。
(2)自发辐??
在高能级E2的电子是不稳定的,即使没有外界的作用, 也会自动地跃迁到低能级E1上与空穴复合,释放的能量转换为光子辐射出去,这种跃迁称为自发辐射。
(3)受激辐射
在高能级E2的电子,受到入射光的作用,被迫跃迁到低能级E1上与空穴复合,释放的能量产生光辐射,这种跃迁称为受激辐射。 ;受激辐射和受激吸收的区别与联系
受激辐射是受激吸收的逆过程。电子在E1和E2两个能级之间跃迁,吸收的光子能量或辐射的光子能量都要满足波尔条件,即
E2-E1=hf12
式中,h=6.628×10-34J·s,为普朗克常数,f12为吸收或辐射的光子频率。
受激辐射和自发辐射产生的光的特点很不相同。
受激辐射光的频率、相位、偏振态和传播方向与入射光相同,这种光称为相干光。
自发辐射光是由大量不同激发态的电子自发跃迁产生的,其频率和方向分布在一定范围内,相位和偏振态是混乱的,这种光称为非相干光。; 产生受激辐射和产生受激吸收的物质是不同的。 设在单位物质中,处于低能级E1和处于高能级E2(E2>E1)的原子数分别为N1和N2。
当系统处于热平衡状态时,存在下面的分布 ; 受激吸收和受激辐射的速率分别与N1和N2成正比,且比例系数(吸收和辐射的概率)相等。
如果N1>N2,即受激吸收大于受激辐射。当光通过这种物质时,光强按指数衰减, 这种物质称为吸收物质。
如果N2>N1,即受激辐射大于受激吸收,当光通过这种物质时,会产生放大作用,这种物质称为激活物质。
N2>N1的分布,和正常状态(N1>N2)的分布相反,所以称为粒子(电子)数反转分布。
问题:如何得到粒子数反转分布的状态呢? 这个问题将在下面加以叙述。 ; 图 半导体的能带和电子分布
(a) 本征半导体; (b) N型半导体; (c) P型半导体 ; 根据量子统计理论,在热平衡状态下,能量为E的能级被电子占据的概率为费米分布; 一般状态下,本征半导体的电子和空穴是成对出现的,用Ef 位于禁带中央来表示,见上图。
在本征半导体中掺入施主杂质,称为N型半导体。
在本征半导体中,掺入受主杂质,称为P型半导体。 ; 在P型和N型半导体组成的PN结界面上,由于存在多数载流子(电子或空穴)的梯度,因而产生扩散运动,形成内部电场, 见上图。
内部电场产生与扩散相反方向的漂移运动,直到P区和N区的Ef 相同,两种运动处于平衡状态为止,结果能带发生倾斜,见上图。;h; 增益区的产生:
在PN结上施加正向电压,产生与内部电场相反方向的外加电场,结果能带倾斜减小,扩散增强。电子运动方向与电场方向相反,便使N区的电子向P区运动,P区的空穴向N区运动,最后在PN结形成一个特殊的增益区。
增益区的导带主要是电子,价带主要是空穴,结果获得粒子数反转分布,见上图。
在电子和空穴扩散过程中,导带的电子可以跃迁到价带和空穴复合,产生自发辐射光。 ; 3. 激光振荡和光学谐振腔
激光振荡的产生:
粒子数反转分布(必要条件)+激活物质置于光学谐振腔中,对光的
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