第8章-动态及准静态电路.ppt

第八章动态及准静态MOS电路内容提要动态电路的基本概念动态MOS倒相器动态MOS电路前面我们所分析的各种MOS电路都属于静态电路。其特点是：1：可在低频及直流下工作，逻辑结果可长期稳定地保持；2：电路形式与双极型电路类似；3：各种复杂电路可分解为以倒相器为基础的单元电路。静态MOS电路的弱点是：1：不工作时，静态功耗不为零；2：对E/EMOS电路来说，由于是有比电路，集成度不高，速度较低；3：电路形式复杂。基于静态电路的这些缺点，立足于MOS管的栅电容电荷存贮效应，派生了MOS逻辑电路的一大分支，动态和准静态电路。其显著优点是：电路形式可以大大简化，有利于集成度及速度的提高§8-1栅电容的电荷存贮效应MOS管的输入栅极具有两个重要的特点：a：具有较小的栅电容CGS，一般为零点几pfb：具有极高的输入阻抗RGS，一般大于1010。当外加一电平于栅极时，由于CGS很小，可以很快使VGS上升到外加电平；当外加电平撤除时，CGS通过极大的RGS放电，放电时间常数很长，~ms数量级，也就是说栅电容能够将电荷暂时存贮一段时间，这就是栅电容的电荷存贮效应。这就是动态MOS电路的基础。如图所示：起始状态：VGS=0V0=1当t=t0时，K闭合当t=t1时，K断开VGS通过RGS放电。只要开关闭合一个很短的时间，由于栅电容的电荷存贮效应，就能使输入管较长时间的导通，从而使输出在较长时间内保持低电平输出。通常τ=RGSCGS~ms，而信号频率一般为μs至ns量级，因此可认为栅电容存贮的电荷是没有衰减。以电子开关代替图中的开关S，则构成了动态MOS倒相器。§8-2动态MOS倒相器根据输出低电平与的关系，动态MOS倒相器也分为有比电路与无比电路两类。一．动态有比MOS倒相器1：结构：在静态有比MOS倒相器的基础上，增加一个由cp控制的门控管，起电子开关的作用。2：原理CP为时钟，可认为在CP间隔内，VCGS无变化。起始状态：Vi=0CP=0VGS=0V0=1当t=t0时：Vi=1由于CP=0传输门截止，状态不变当t=t1时，Vi=1CP=1传输门导通状态翻转VGS=1V0=0当t=t2时，Vi=1CP=0T3截止栅电容存贮效应：VGS=1V0=0维持当t=t3时：Vi=0CP=0栅电容存贮效应：VGS=1V0=0维持当t=t4时：Vi=0CP=1T3导通状态翻转VGS=0V0=13：特点：a：由于V0=VOL时：TI，TL均导通，VOL的大小βR由决定，故称动态有比MOS倒相器；b：输出具有延时功能。4：改进：当CP同时控制门控管及负载管的栅极时，构成低功耗型动态有比MOS倒相器起始：CP，Vi，VD，V0均为零t=t0Vi=0CP“0”→“1”T1截止，T2、T3导通VD“0”→“1”V0“0”→“1”t=t1Vi=“0”→“1”CP=0T1导通，T3截止VD=“1”→“0”V0=“1”t=t2Vi=“1”CP“0”→“1”T1，T2，T3均导通VD=0V0=“0”t=t3Vi=“1”→“0”VCP=0VD=0V0=“0”t=t4Vi=0VCP=“0”→“1”VD=“0”→“1”V0“0”→“1”由于只有CP=“1”时，倒相器才有负载电流流过，而CP时间很短，故功耗低。二．动态无比MOS倒相器1：结构：动态无比MOS倒相器是一种用