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LIGA技术简介
LIGA是德文(LithographieGaVanoformungAbformung)之缩写,译成英文则为Lithogrophyelectroformingmicromolding译成中文则为X光光刻,微电铸,微成形也就是X光深刻精密电铸模造成形,通常简称为深刻电铸模造。
LIGA制程源自德国核能研究所,1980年初期所发展出来用以制造微结构的技术。它结X-Ray深刻术(DecpX-RayLithography)电铸翻模(MicroElectroforming)及精密射出
(Micro-Injection)热压成型(Micro-Embossing)技,适合量产高深宽比(AspectRatio)低表面粗糙度(Subμm)拜直侧壁的微结构,且材料的应用范围广泛,可制造金属及塑料的微结构。
这些技术的特点使得LIGA被公认为最具有技术潜力开发高深宽比,高精度之2D,3D微结构之件及微系统。
一、LIGA之技术领域
LIGA之技术领域可分为三方面(1)Lithography(光刻)(2)Electrodeposition(电气沉积)Electroforming(电铸)Electroplating(电镀)
(3)MicroMolding(微成形)
Microinjectionmolding(微射出成形)二、光刻(Lithography)
1、光刻之定义
光刻之定义,就是将掩膜(Photomark)上之图案(Pattem)转移至光阻(Photoresist)上面,由于光阻材料之正负性质不同,经显影(Develop)后,光阻图案会和光完全相同或呈互补。
2、光刻制程
光刻制程可说是半导体制程之关键制程,其步骤如下:
图一主要微影制程图二微影制程(1)表面清洗(2)涂底(Priming)(3)光阻覆盖(4)软烤(Softbake)(5)曝光(6)烘烤 (7)显影(8)
图一主要微影制程
图二微影制程
表面清洗是去除芯片表面氧化物、杂质、油质及水分子
涂底是在芯片表面涂上一层HMDS化合物,以增加光阻与表面的附着力
光阻是一种感光材料,由感光剂(Sensitizer)树脂(Resin)及溶剂(Solvent)混合而成光阻应具备之特性:
(1)高光源吸收率(2)高分辨率(3)高无感度(4)抗蚀剂性(5)高附着性(6)低黏滞系数(7)高对比
光阻材料有正负之分,正光阻受光照射后分子键被剪断
(Chanscission)因而易溶于显影液(Developer),因而负光阻分子键则会产生交互链台(cross
图三 正光阻与负光阻的特性linking) 因而难溶于显影液如图三所示:
图三 正光阻与负光阻的特性
3、光刻曝光法技术
光蚀刻光刻技术是用已制成图案之掩膜或光阻,选择性的保护工件表面后,以各种光源蚀刻除去未被掩膜或光阻色覆的部份,而得到欲加工之几何形状。依据便用光源之不同光蚀刻技术可分为四种:
光蚀刻(photolithography)
电子束蚀刻(Electron-Beamlithography)
X光蚀刻(X-raylithography)
图(四) 四种典型的光蚀刻技术。离子束蚀刻(Im-Beamlithography)如图(四)所示:
图(四) 四种典型的光蚀刻技术。
集成电路的制作必须经过多次的光刻制程才能完成,因此在曝光前晶圆上前段制程已经存在的图案(Align)必须与掩膜上后段制程的图案彼此对准
目前工业界发展出三种型式的曝光系统:
接触式(Contact)
近接式(Proximity)
图五 微影曝光系统投影(射)(Projection)如图五所示
图五 微影曝光系统
接触式曝光法分辨率高,可达1μm比较不会产生绕射现象,但光罩因直接放置在基板(Substrate)上面,不仅容易变形即且易受微粒污染,因此会影响光罩寿命,但因有曝光的间隔,容易造成绕射效应而使得图案转移的分辨率变差,仅为2μm。
投影式曝光法,利用光学镜片将聚焦的光罩投影在晶圆上,光罩上的图案通常放大为5倍或10倍,利用聚焦原理依适学比例缩小,然后照射在芯片的局部位置上,必须经过多次重复且步进的曝光方式,才能完成图案转移。不但设备昂贵而且耗时生产产量比前两种方式低,但分辨率可达0.5μm而且光罩不受微粒子污染,因而寿命长久。如图六所示:
图六 投影式曝光
图六 投影式曝光
随着技术进步,对分辨率及对准精确度之要求渐高,为避免芯片经过多次制程后,所产生之变异影响,遂采用同一芯片上分区曝光之方式(StepandRepeat),将一片芯片分为40~60次来曝光,如图(b
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