声表面波器件工艺原理-9倒装焊工艺原理.pdfVIP

声声表表⾯⾯波波器器件件⼯⼯艺艺原原理理-9倒倒装装焊焊⼯⼯艺艺原原理理

九，声表器件倒装焊⼯艺原理

序：倒装芯⽚（FC）技术，是在芯⽚的焊接区⾦属上作凸焊点，然后将芯⽚倒扣在

外壳基座上，以实现机械性能和电性能的连接，由于FC是通过凸焊点直接与底座相连，因此与其它互连技术相⽐，FC具有最

⾼的封装密度、最⼩的封装尺⼨（线焊可焊的最⼩陶瓷外壳为3×3mm，⽽FC可以作到芯⽚级）、最好的⾼频性能（电感

⼩）、最⼩的⾼度、最轻的重量，以及产品⾼可靠、⽣产⾼⼯效等。倒装焊⼯艺：主要由UBM的形成、凸点的作、倒装焊

接三部分组成。

（⼀）UBM的形成：

当凸焊点材料与芯⽚上的焊接区⾦属不能很好浸润粘附时（或接触电阻⼤，或热匹配差，或两种材料间易形成会导致键合强度

降低的⾦属间化合物），需要在凸焊点与芯⽚压焊块之间置⼊⼀层既能与芯⽚焊接区⾦属良好粘附、⼜能与凸焊点良好浸润、

还能有效阻挡两者之间相互反应扩散的⾦属膜（UBM），因我们⽆法找到可同时满⾜上述要求的材料，所以通常UBM由多层

⾦属膜组成。（说明：与凸点连接的还有底座上相应的焊接点，由于在底座作时该部位已镀有多层⾦属，能满⾜要求，固在

此不于讨论。）

1，对UBM的各层要求及材料选择：

1）粘附层：要求与铝膜及钝化层间的粘附性好，低阻接触，热膨涨系数接近，热应⼒⼩。常选⽤材料有：Cr、Ti、Ti-W、

Al、V等，因它们与Al浸润性很好，固该层可较薄。2）扩散阻挡层：能有效阻挡凸焊点材料与铝间的相互扩散，以免形成不

利的⾦属间化合物，特别是⾦凸焊点，在⾼温下与铝可⽣成Al2Au、AlAu、AlAu2、Al2Au5等脆性⾦属间化合物及在接触处相

互扩散形成空洞，导致键合强度降低甚⾄失效。该层常⽤材料有：Ti、Ni、Cu、Pd、Pt、Ti-W等。（当⽤软焊料如PbSn作凸

点时，由于其回流时会吃掉浸润层，直接与阻挡层接触；此时阻挡层应⾜够厚，且与凸点相浸润，不反应产⽣有害物）

3）浸润层：要求⼀⽅⾯能和凸焊点材料良好浸润，可焊性好，且不会形成不利于键合

的⾦属间化合物；另⼀⽅⾯还能保护粘附层和阻挡层⾦属不被氧化、粘污。该层常选⽤薄的⾦膜、⾦的合⾦膜或较厚的铜膜

（⽤于焊料凸焊点）。

2，UBM的作：

1）UBM的组合选择：对于⾦凸焊点，常选⽤的UBM为：Cr/Ni/Au、Ti/Ni/Au、Ti/Pt/Au、Ti-W/Au等；对于PbSn凸焊点，常

选⽤的UBM有：Ti-W/Cu、Ti-W/Au/Cu、Cr/Cr-Cu/Cu、Al/Ni-V/Cu、Ti/Cu、Ti-W/Cu/化学镀Ni等。

2）UBM的作⽅法：UBM的作是凸焊点作的关键⼯艺，其质量好坏直接影响凸焊点质量、倒装焊接的成功率和封装后

凸焊点的可靠性。由于UBM是多层⾦属，为防⽌薄膜间形成氧化膜夹层，对UBM的作基本上都是采⽤溅射或电⼦束蒸发，

在⾼真空腔内⼀次完成（当需要作厚⾦属膜时，则采⽤电镀或化学镀）。为防⽌多层⾦属腐蚀时造成凸点脱落，可采⽤剥离

技术（电镀法凸点除外），既可解决腐蚀不易控，⼜可简化⼯艺，提⾼芯⽚凸点可靠性；这对换能器裸露于芯⽚表⾯的声

表器件尤其适宜。

（⼆）凸焊点作：

1，凸焊点常⽤材料：

要具有电阻率⼩、延展性好、化学性能稳定等特点，同时凸点（包括UBM）材料还要能承受器件在加⼯、使⽤、⽼化、可靠

性实验等过程中所需承受的条件。

1）Au：由于⾦浸润性好，延展性好，内应⼒⼩，接触电阻⼩，化学性能稳定，因此是

⾼频、⾼可靠器件常⽤的凸点材料。现在已可作节距为20µ，直径为20µ，⾼为15µ的⾦凸点。对⼩尺⼨、⾼密度的⾦凸点的

作主要是⽤厚⾦电镀技术，低密度的⾦凸点可⽤⾦丝球焊切尾作。⽬前国内⽆氰电镀⾦凸点剪切强度已达11.mg/µm2，

⾼度容差±1.4µm（优于美国公司标准：剪切强度.7mg/µm2，⾼度容差：管芯内±1.5µm，圆⽚内±2.5µm）。

有资料介绍，在有⾦参与的⾦属化系统中，Ti、Ni、Cr、Al不能与⾦直接接触，因为前三种⾦属与⾦接触时，在350-450℃烘

焙数分钟其电阻就⼤⼤增加，⽽Al与Au在200℃以上易⽣成不利于键合的⾦属间化合物。可作Ti、Ni、Cr与Au阻挡层的材料

有Pd、Pt、Mo、W、Cu，通常⽤Mo或W。提醒选材时予以注意。

2）Pb-Sn合⾦：属软焊料。由于现阶段开发的⽆铅焊料仍存在浸润性差、熔点⾼、成本⾼、⼀些技术参数还难以实现等问

题，因此Pb/Sn⽬前仍作为凸点材料使⽤。铅锡焊球成分种类较多，主要分为⽤于陶瓷基板的⾼温⾼铅焊料如95Pb5Sn、

97Pb3Sn（熔点为314-320℃