半导体中杂质和缺陷能级.ppt

§2.2III-V族化合物中的杂质能级第31页,共47页，2024年2月25日，星期天第32页,共47页，2024年2月25日，星期天第33页,共47页，2024年2月25日，星期天等电子陷阱：在某些化合物半导体中，例如磷化镓中掺入V族元素氮或铋，氮或铋将取代磷并在禁带中产生能级。这个能级称为等离子陷阱。这种效应称为等离子杂质效应。等离子杂质:所谓等离子杂质是与基质晶体原子具有同数量价电子的杂质原子，它们替代了格点上的同族原子后，基本上仍是电中性的。但是由于原子序数不同，这些原子的共价半径和电负性有差别，因而它们能俘获某种载流子而成为带电中心。这个带电中心就称为等离子陷阱。第34页,共47页，2024年2月25日，星期天是否周期表中同族元素均能形成等离子陷阱呢？只有当掺入原子与基质晶体原子在电负性、共价半径方面有较大差别时，才能形成等离子陷阱。一般说，同族元素原子序数越小，电负性越大，共价半径越小。等电子杂质电负性大于基质晶体原子的电负性时，取代后，它便能俘获电子成为负电中心。反之，它能俘获空穴成为正电中心。例如，氮的共价半径和电负性分别为0.070nm和3.0，磷的共价半径和电负性分别为0.110nm和2.1，氮取代磷后能俘获电子成为负电中心。这个俘获中心称为等离子陷阱。这个电子的电离能＝0.008eV。铋的共价半径和负电性分别为0.146nm和1.9，铋取代磷后能俘获空穴，它的电离能是＝0.038eV。第35页,共47页，2024年2月25日，星期天四族元素硅在砷化镓中的双性行为:即硅的浓度较低时主要起施主杂质作用，当硅的浓度较高时，一部分硅原子将起到受主杂质作用。这种双性行为可作如下解释：实验测得硅在砷化镓中引入一浅施主能级（Ec－0.002）eV，硅应起施主作用，那么当硅杂质电离后，每一个硅原子向导带提供一个导电电子，导带中的电子浓度应随硅杂质浓度的增加而线性增加。但是实验表明，当硅杂质浓度上升到一定程度之后，导带电子浓度趋向饱和，好像施主杂质的有效浓度降低了。这种现象的出现，是因为在硅杂质浓度较高时，硅原子不仅取代镓原子起着受主杂质的作用，而且硅也取代了一部分V族砷原子而起着受主杂质的作用，因而对于取代Ⅲ族原子镓的硅施主杂质起到补偿作用，从而降低了有效施主杂质的浓度，电子浓度趋于饱和。可见，在这个粒子中，硅杂质的总效果是起施主作用，保持砷化镓为n型半导体。实验还表明，砷化镓单晶体中硅杂质浓度为10-18cm-3时，取代镓原子的硅施主浓度与取代砷原子的硅受主浓度之比约为5.3:1。硅取代砷所产生的受主能级在（Ev+0.03）eV处。第36页,共47页，2024年2月25日，星期天§2.4缺陷、位错能级一．点缺陷点缺陷是发生在一个原子尺度范围内的缺陷。如，空位、填隙原子、杂质原子等等。其中空位和填隙原子的产生主要是因为热起伏而引起的，因此它们又常称为热缺陷。第37页,共47页，2024年2月25日，星期天⑴Frenkel缺陷弗兰克尔缺陷原处在正常格点位置的原子常受热激发而脱离格点，这样就在原来的格点上就留下一个空位（vacancy），同时，脱离正常格点的原子进入到晶格中原子的空隙之中，形成所谓的填隙原子，一个空位加一个填隙原子的总体称为Frenkel缺陷。第38页,共47页，2024年2月25日，星期天⑵Schottky缺陷肖特基缺陷如果晶体内部只有空位，这样的缺陷称为Schottky缺陷。由图显而易见，此时脱离正常格点的原子跑到晶体表面上正常格点的位置，形成新的一层。第39页,共47页，2024年2月25日，星期天⑶替位杂质原子（离子）当外来杂质进入晶体后，以替位的方式占据本体原子的格点位置，从而也使周期性遭到破坏，这种缺陷称为替位杂质原子。这种缺陷往往是人们为改变晶体的性能而有目的地故意引入的。替位杂质原子在实际中应用非常广泛。例如：半导体材料的不同导电类型就是因为掺入不同的杂质原子而导致的。当然，杂质原子也可以填隙的方式进入到晶体中，成为填隙式杂质。第40页,共47页，2024年2月25日，星期天点缺陷的种类还有很多,例如色心（colorcenter），它是在含碱金属过剩（组分超过化学配比）的碱卤化合物晶体中的一种点缺陷，它实际上是一个卤素负离子空位加上一个被束缚在其库仑场中的电子。又如极化子（polaron），它是进入完整的离子晶体中的电子，由于它的库仑势而使得晶格发生局部的极化畸变，从而也构成了一种点缺陷。第41页,共47页，2024年2月25日，星期天4.点缺陷（热缺陷）特