电子能量损失谱仪EELS在材料科学中的应用.ppt

电子能量损失谱仪在材料科学中的应用 段晓峰 中国科学院电子显微镜重点实验室 中国科学院物理研究所凝聚态物理中心 电子与样品的相互作用电子的非弹性散射 透射电镜和电子能量损失谱仪 EELS 的聚焦和AC杂散磁场补偿 CCD结构示意图 内壳层电子的激发和跃迁 The main exci-tation allowed for core elec-trons obeys the dipole selection rule: 内层电子激发和能带结构 内壳层电子的激发符号规定 内壳层电子的激发和周期表 样品厚度对EELS的影响 退卷积: Fourier ratio方法消除谱仪的影响 近边精细结构(5) Z-Contrast Scanning Transmission Electron Microscopy Spatially resolved EELS(1) 能量损失谱中的主要信息 低能损失区 0~50eV 1 样品厚度 2 复介电系数 3 价带和导带电子态密度,禁带宽度 高能损失区 50~2000eV 1 元素成分（Li~U） 2 化学价态和态密度，近邻结构 3 径向分布函数（配位数和配位距离） 电子能量过滤成像 1 完全弹性散射电子像 2 元素成分分布图 3 其他特征能量电子过滤成像 GaAs EELS Spectrometer Annular Detector 1.4? As Ga Objective LensForms a 1.3? Probe I μ Z 2 Z=31 Z=33 1988 1998 Invented by Crewe in 1960’s Incoherent imaging with electrons Atomic resolution spectroscopy Now standard on all commercial TEMs 电子的非弹性散射 总结 EELS的背底扣除: 指数定律失效 等离子散射可以看作是多体散射问题，根据电磁场理论介质的 损失函数可以推导出了二阶微分散射截面的表达形式： 被称为损失函数， ε为介质的介电常数 在介电理论中， 低能损失谱的应用:损失函数 根据Kramers-Kronig关系: 求出相应的实部 从电子能量损失谱可以得到 的虚部 ，得到材料的复介电常数 Kramers-Kronig 分析 低能量损失的应用：介电常数 电离损失峰分析：峰位的确定 拐点 二阶微分：确定电离损失峰峰位 拐点 拐点 二阶微分：微量元素分析 成分定量分析 1 退卷积 2 扣背底 3 散射截面计算 近边精细结构 近边精细结构:碳和碳化物 近边精细结构:过渡族金属氧化物 近边精细结构:硼化物 近边精细结构：化学位移(离子键） 近边精细结构：化学位移(共价键） 近边精细结构:分子轨道 近边精细结构:八面体结构 近边精细结构：八面体结构和四面体结构 近边精细结构:过渡族金属L23 近边精细结构:氧化铜的L23 Dipole rule: L3: 2p3/2 to 3d3/2,3d5/2 ; L2: 2p1/2 to 3d3/2 近边精细结构:确定锰元素的价态 近边精细结构:过渡族金属的L3/L2 EXELFS模型 EXELFS分析 ° ° 取向效应:散射几何 取向效应:石墨的ELNES 取向效应:石墨的 EXELFS Substitutional/interstitutional impurity identification Atom row selectivity 取向效应：ALCHEMI(改变s) S<0 S>0 Fig. 11 <11-20> projection of the wurtzite GaN structure model. The direction of the cation (Ga) to the anion (N) is defined as [0001] in the real space. [0001] Ga N 取向效应: ALCHEMI(改变g)氮化镓的极性 Fig. 13 The calculated thickness-averaged electron current density across a unit cell at (0002) (a), and (000-2) (b) Bragg conditions for the impact parameter b= 0.0nm (without delocalization), 0.073nm, and 0.087nm.The sample thickness is 0.4?0002. 取向效应:氮化