太阳电池阶段工艺小结PECVD.ppt

3.4.2实验三测试结果 实验 流量下 流量上 薄膜下 薄膜上 NH3 SiH4 NH3 SiH4 厚度 折射率 厚度 折射率 6_1 1450 550 1520 480 41 2.185 41 2.065 6_2 1500 500 1520 480 41 2.111 41 2.065 6_3 1600 400 1520 480 41 2.04 41 2.065 原工艺 \ \ \ \ \ \ \ \ 注释： 原工艺没有SiNx膜的上下之分，也就是说薄膜均有相同的Si/N比例，选择的流量为：SiH4 440SCCM，NH3 1520SCCM，折射率为2.065。 实验 AVE/MED Pmpp Uoc Isc FF NCell 实验6-1 AVE 3.9225 0.6167 8.3071 76.5652 0.1612 MED 3.9216 0.6165 8.3170 76.5935 0.1611 实验6-2 AVE 3.9143 0.6159 8.2881 76.6759 0.1608 MED 3.9157 0.6162 8.2898 76.7233 0.1609 实验6-3 AVE 3.9076 0.6166 8.2808 76.5241 0.1606 MED 3.9068 0.6162 8.2840 76.6302 0.1605 实验三钝化效果对比 实验编号 烧结后少子寿命测试（us） 膜厚与折射率测量 最大值 最小值 平均值 中值 膜厚(nm) 折射率 实验6-1 ① 26.264 3.127 7.785 6.609 82.04 2.1447 ② 15.441 3.173 6.349 6.237 83.24 2.1310 ③ 29.961 3.360 7.973 6.839 83.41 2.1289 ④ 24.859 2.313 6.844 6.531 83.02 2.1298 ⑤ 33.179 2.188 8.522 6.998 81.79 2.1440 平均值 25.941 2.832 7.495 6.643 82.700 2.136 实验6-2 ① 27.892 3.296 6.578 6.166 84.34 2.1039 ② 26.353 3.499 6.877 6.237 80.02 2.1214 ③ 16.711 2.946 5.898 5.821 84.96 2.1015 ④ 18.467 3.508 6.098 5.957 85.21 2.0909 ⑤ 21.399 2.426 6.137 5.888 84.88 2.0989 平均值 22.164 3.135 6.317 6.014 83.882 2.103 实验6-3 ① 25.261 3.514 6.376 6.095 83.220 2.050 ② 18.454 3.644 6.678 6.457 83.790 2.052 ③ 14.083 3.946 6.528 6.310 83.310 2.057 ④ 7.591 1.962 5.562 5.821 83.600 2.067 ⑤ 11.040 1.911 5.401 5.623 82.990 2.058 平均值 15.286 2.995 6.109 6.061 83.382 2.057 原工艺 ① 24.193 2.309 6.160 5.957 82.510 2.063 ② 27.161 3.045 6.781 6.383 82.560 2.068 ③ 9.131 2.510 4.946 4.955 84.860 2.050 ④ 8.716 2.929 4.992 4.945 80.920 2.056 ⑤ 9.813 2.784 4.914 4.898 82.470 2.059 平均值 15.803 2.716 5.559 5.427 82.664 2.059 3.4.3 实验三结论 从测试的结果来看，实验三的设计思想是正确的，充分发挥了SiNx膜的钝化和减反射作用。随着底层SiNx膜Si/N比例的提高，其钝化效果逐步增强，这从镀膜后的少子寿命和电池片短路电流的变化规律可以证明。此外，实验三充分结合设备特点，工艺切换简单，只需要修改个别参数，同时SiNx膜性能的提高不会牺牲产量，更不会增加成本。 4. 管式PECVD和板式PECVD的对比 4.1 设备