真空溅镀系统.PDF

真空濺鍍系統 SPUTTER A 簡易操作規範 105/ 10/01 修訂 第一階段 準備事項 1. 先檢查水、氣、電供應(壓力)是否正常 ，調壓閥與管路平行 ，腔體真空值正 常 。並確認機台目前標示為運轉正常 ，前一位使用者已結束操作。 2. 晶片、靶材先清潔 ，以及鋁箔先撕好。 3. 使用紀錄表上填寫使用者欄。 4. 將指示牌換至「使用中」。 5. 檢查Sensor燈號，按Display檢視膜厚計頻率數值 。（5.85MHz以下要更換）。 破真空 1. 將調壓閥轉至垂直位置 。 2. 關畢細抽閥 ，等待1分鐘左右。(等待MV閥密合關上) 3. 開啟破真空閥 。 4. 聽到氣閥動作聲後，緩緩將N2氣閥打開。 5. 鬆開Chamber門把。 6. 等待腔體門打開後 ，關上N2 氣閥及破真空閥 ，並再次確認確實關閉 。 7. 打開Chamber門（要告知附近的人）。 **抽氣手動控制閥，同時間只能全關或只開一個，往上為開啟，往下為關閉 。 裝置靶材及置放晶片 1. 開Shutter ，取內外環，放置靶材及以螺絲固定內環，放置外環。 2. 以電表測試內外環間以及Gun下方Cable接點之阻抗 ，不可為短路 。（轉到10K Ω量測） 3. 未使用之GUN的外環、隔板及每一Shutter等可包覆處 ，覆蓋鋁箔 。 4. 關上Shutter （過程中震盪器別亂碰）。 5. 接妥DC電源纜線 ，未使用靶位之電纜請移除。 6. 放置晶片並按SUBS ROT ，測試晶片架旋轉是否正常(數圈以上) 。 7. 以吸塵器(或無塵紙)清潔腔體內部。 8. 關上Chamber 。 9. 轉螺絲的工具在機台前面桌子角落的孔洞處。 10. 1 號靶材只能放Cu (除非鍍多層或共鍍不得已) 、2 號靶材只能放磁性物質、3 號靶材放置其他靶材。(Cu只能放1號GUN) 11. 破片要黏在完整的4”或6”晶片上才可以濺鍍。 抽真空 * 在進行抽真空前，請再確認該做的每一步驟，若有零件遺漏，會浪費時間哦! 1. 扣上門板把手，開啟粗抽閥抽真空 （壓迫門板右上方，待抽下）。 -2 2. 等待粗抽結束(壓力至7.5*10 torr ，RP&RV燈號熄滅) ，關閉粗抽閥 ，開啟細抽 閥 ，並等待Hi vacuum燈號亮起。 3. 將調壓閥轉至水平位置 。 4. 腔體在大氣下的時間越短，真空會抽得越好，因此請加快抽真空前每一動作的 速度。 條件設定 * 儀器旁有附參考數值的手冊 1. 按 Material Density ，以上下鍵設定數值。 2. 按 Acoutstic Impedance ，以上下鍵設定數值。 3. 按 Thickness Endpoint ，以上下鍵設定數值。 4. 按 Tooling Factor ，以上下鍵設定數值。 第二階段 預濺鍍（Pre-sputtering ） ✽使用者若覺得前一位使用者的鍍膜材料會影響自己的製程，可在不放試片的情況 下先做一個run ，之後再進行正式的製程。 1. 確定真空值達到 4*10-6 torr以下。 2. 將調壓閥轉至30位置(或15~35之位置) 。 3. 將Key由Manual轉到Auto 。 4. 按Subs rot按鈕。 5. 按Ar按鍵 ，將流量控制器上Ar部分Gas on及Flow on打開，緩慢轉動旋鈕至所需 數值。 -3 6. 慢慢轉動調壓閥調整真空值到 7.6*10 torr 。 7. DC電源 Power on ，Output on 。 8. 調整Power level ，右台在10W上下Plasma應可建立，注意不應有ARC燈亮的現 象。(左台約40W建立Plasma) 9. 將Power緩慢調整至60W (Al是40W) ，Pre-sputtering 10分鐘。 10. Double check參數。 **不同材料Pre-sputtering的瓦數、時間請自行斟