半导体制造工艺_08扩散(下).pptVIP

10 六月 20231半导体制造工艺_08扩散(下) 如何判断对费克定律应用何种解析解？当表面浓度为固溶度时，意味着该分布是余误差分布当表面浓度较低时，意味着该分布是经过长时间的推进过程，是高斯分布。费克定律解析解的应用本征扩散时，理想边界条件下的解。实际情况需要修正，如：高浓度电场效应杂质分凝点缺陷…2 例题：CMOS中的p阱的形成。要求表面浓度Cs=4x1017 cm-3，结深xj=3 mm。已知衬底浓度为CB=1×1015 cm3。设计该工艺过程。离子注入＋退火3 假定推进退火获得的结深，则根据该数值为推进扩散的“热预算”。解：1）假设离子注入+推进退火4 2）推进退火的时间假定在1100 ?C进行推进退火，则扩散系数D=1.5×10-13 cm2/s?3）所需离子注入的杂质剂量可以推算出该剂量可以很方便地用离子注入实现在非常薄的范围内的杂质预淀积5 4）假如采用950 ?C热扩散预淀积而非离子注入?预淀积时间为此时，B的固溶度为2.5×1020/cm3，扩散系数D=4.2×10-15 cm2/s该预淀积为余误差分布，则但是预淀积时间过短，工艺无法实现。应改为离子注入！即使6 影响杂质分布的其他因素Fick’s Laws：Only valid for diffusion under special conditionsSimplification !7 1、电场效应（Field effect）——非本征扩散电场的产生：由于载流子的迁移率高于杂质离子，二者之间形成内建电场。载流子领先于杂质离子，直到内建电场的漂移流与扩散流达到动态平衡。如果NA、ND＞ni（扩散温度下）时，非本征扩散效应8 所以，杂质流由两部分组成：内建电场?以n型掺杂为例， 9 由 并假定杂质全部离化，有场助扩散方程：其中h为扩散系数的电场增强因子：当掺杂浓度远大于本征载流子浓度时，h 接近 2。10 电场效应对于低浓度本体杂质分布影响更大11 2、扩散系数与杂质浓度的关系在杂质浓度很高时，扩散系数不再是常数，而与掺杂浓度相关扩散方程改写为：箱型12 p型掺杂n型掺杂Ⅲ、Ⅴ族元素在硅中的扩散运动是建立在杂质与空位相互作用的基础上的，掺入的施主或受主杂质诱导出了大量荷电态空位，从而增强了扩散系数。13 非本征掺杂扩散系数比本征掺杂扩散系数高一个数量级！！由于非本征掺杂的扩散系数在掺杂边缘迅速衰减，因而出现边缘陡峭的“箱型”分布。箱型1000 ?C下，非本征扩散系数：14 对于B，P来说，在氧化过程中，其扩散系数增加。对Sb来说，扩散系数减小。双扩散机制: 杂质可以通过空位和间隙两种方式扩散3、氧化增强/抑制扩散（oxidation enhanced / retarded diffusion）OED/ORD15 1 ）OED：对于原子B或P来说，其在硅中的扩散可以通过间隙硅原子进行。氧化时由于体积膨胀，造成大量Si间隙原子注入，增加了B和P的扩散系数（1＋2?）Si＋2OI＋2?V?SiO2＋2?I＋stressA+IAI16 2）ORD：对于Sb来说，其在硅中的扩散主要是通过空位进行。氧化注入间隙?间隙和空位在硅中复合?硅中空位浓度减小?Sb的扩散被抑制I+V?Sis表示晶格上的Si原子As受间隙和空位扩散两种机制控制，氧化时的扩散受影响较小17 4、发射极推进效应（Emitter Push effect）实验现象：在P（磷）发射区下的B扩散比旁边的B扩散快，使得基区宽度改变。A＋I?AI，由于发射区内大量A(P)I的存在使得反应向左进行，通过掺杂原子A(P)向下扩散并找到晶格位置的同时，释放大量的间隙原子I，产生所谓“间隙原子泵”效应，加快了硼的扩散。PhosphorusBoron18 常用杂质硼（B），磷（P），砷（As）在硅中的性质 1）硼B: III族元素，受主杂质，1150 ℃时固溶度达2.4×1020 原子/cm3D0=1 cm2/s Ea=3.46 eV高浓度掺杂 如考虑场助效应 h 电场增强因子19 2）磷Ⅴ族元素，施主原子，有吸收铜、金等快扩散杂质的性质（这些杂质在缺陷处淀积会产生漏电）,固溶度达5×1021 原子/㎝3。磷的本征扩散系数主要由中性空位V0作用决定。高浓度磷扩散时浓度分布有三个区域。主要是磷离子与V0，V-，V=三种空位的作用造成的。 温度为1000 ℃时，尾区的扩散系数比本征情况下的扩散系数大二个数量级。因此磷常作为深结扩散的杂质20 3）砷Ⅴ族元素，施主杂质，半径与硅相同，扩散系数小，仅磷、硼的十分之一。在高掺杂情况下也不引起畸变。在硅晶体中，砷激活量低于掺杂量，电激活浓度达 2×1021 ㎝-3适宜于浅结，精确控制21 气态