4.3淀积重点.ppt

CVD系统的分类 常压化学气相淀积(APCVD) 低压化学气相淀积(LPCVD) 等离子增强化学气相淀积(PECVD) APCVD反应器的结构示意图 APCVD 操作简单，淀积速率高，适合介质薄膜的淀积。 易发生气相反应，产生污染 台阶覆盖性和均匀性比较差 质量输运控制淀积速率，对反应室结构和气流模式提出高的要求 LPCVD反应器的结构示意图 LPCVD LPCVD 表面反应速率控制淀积速率 原因：在较低的气压下，气体的扩散速率比在一个大气压下高出很多倍。 结果：对温度比较敏感，温度相对来说较易控制，对反应室结构要求不高，可放置较多的硅片。 优点 污染少，均匀性和台阶覆盖性较APCVD好 缺点： 相对低的淀积速率，相对高的工作温度 LPCVD 气缺现象：当气体反应剂被消耗而出现的反应剂浓度改变的现象 措施： 在水平方向上逐渐提高温度来加快反应速度，从而提高淀积速率 采用分布式的气体入口 增加反应室中的气流速度 平行板型PECVD反应器的结构示意图 PECVD PECVD 最常用 反应激活能：通过非热能源的射频（RF）等离子体来激活和维持化学反应。 低温淀积 应用：在Al上淀积二氧化硅或氮化硅 较高的淀积速率 表面反应速率控制淀积速率，精确控制衬底的温度，可得到均匀的薄膜。 PECVD 等离子体中的电子与反应气体分子碰撞 反应气体分子分解成多种成份：离子、原子及活性基团 活性基团不断吸附在基片表面上 吸附在表面上的活性基团之间发生化学反应生成薄膜层 表面吸附的离子受到离子和电子的轰击，易迁移，发生重新排列。 淀积的薄膜均匀性良好，具有填充小尺寸结构的 能力。 CVD的三种方法比较 APCVD 设备简单，淀积速率大（ >1000A/min）。 易气相成核，均匀性不好，材料利用率低。 质量输运控制淀积速率。 LPCVD 均匀性好，台阶覆盖性好，污染少。对反应室结构要求低。装片量大。 淀积速度低，工作温度高。 表面反应控制淀积速率。 PECVD 反应温度低，附着性好，良好的阶梯覆盖，良好的电学特性可以与精细图形转移工艺兼容，薄膜应力低，主流工艺。 具备LPCVD的优点 high deposition rate at relatively low temperature Improve film quality and stress control through ion bombardment（炮击，轰击） 表面反应控制淀积速率 CVD的三种方法比较 * * * * 熔化、融化、溶化的区别和联系 那些远去的，淡了，已融化在我的内心深处。 在温暖的阳光照耀下，冰雪开始融化。 将氯化钠放在水中，就会慢慢溶化。 * * * * 直流溅射 直流溅射也被称为阴极溅射，常用Ar(氩)气作为工作气体 。直流溅射方法的前提之一是靶材应具有较好的导电性(只能溅射良导体)。 原因是正离子轰击阴极，和溢出的电子中和，阴极损失的电子可以通过电传导来补充，如果是绝缘体，则不能补充电子，阴极表面堆积大量的正电荷，将降低两极板之间的电场强度，致使辉光放电消失。 在两个电极之间接上高频电场时，因为高频电场可以经由其他阻抗形式耦合进入淀积室，不必要求电极一定是导电体。 射频方法可以在靶材上产生自偏压效应。即在射频电场起作用的同时，靶材会自动地处于一个负电位，这将导致气体离子对其产生自发的轰击和溅射。 射频溅射 射频电压通过一个电容C被耦合到了靶材上。 在射频电场中电子的运动速度比离子的速度高很多，因而对于射频电极来说，它在正半周期内作为正电极接受的电子电量将比在负半周期作为负电极接受的正离子电量多得多。 经过几个周期之后，该电极上将带有相当数量的负电荷而呈现负电位。导致气体离子对其产生自发的轰击和溅射。 磁控溅射 上述溅射淀积方法具有两个缺点：淀积速率较低；溅射所需的工作气压较高，造成气体分子对薄膜产生污染。 如图，在靶材的部分表面上使磁场与电场方向垂直，从而进一步将电子的轨迹限制到靶面附近，提高电子碰撞和电离的效率，而不让它去轰击作为阳极的衬底。 这种方法淀积速率可以比其他溅射方法高一个数量级，工作气压可以明显降低，一方面降低了薄膜污染的倾向，另一方面也将提高入射到衬底表面原子的能量，在很大程度上改善薄膜的质量。 化学气相沉积 化学气相沉积CVD的概念 （Chemical Vapor Deposition） 化学气相沉积是利用电阻加热、等离子体、光辐射等能源使某些气态物质发生化学反应，生成固态物质并沉积在衬底表面形成薄膜的过程。 注意：化学反应不是发生在气体与衬底之间的。 CVD工艺一般用于介质层和半导体材料的薄膜制备。 化学气相淀积 (1) 淀积温度较低，减轻