电工电子(最新整理版).pptxVIP

智能小区 第7章 半导体二极管和二极管整流电 路 7.1 PN结及其单向导电性能 7.2 半导体二极管 7.3 二极管整流电路 第7章 半导体二极管和二极管整流电路 本章要求： 一、理解PN结的单向导电性。 二、了解二极管、稳压管的基本构造、工作原理和 特性曲线，理解主要参数的意义。 三、会分析含有二极管的电路。 四、了解桥式整流电路及稳压管稳压电路的工作原 理及其应用 。 对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和 正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器 件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况， 对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近 似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标， 就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、 工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。 1.半导体的导电特性： 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。 7. 1 PN结及其单向导电性 7.1.1 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征 共价键中的两个电子，称为价电子。 硅单晶中的共价键结构 晶体中原子的排列方式 半导体。 Si Si Si 在外电场的作用下，空，穴吸引相邻原子的价电子来填 填补，而，在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空 空穴的运动（相当于正电荷的移动）。 价电子在获得一定能量（温度 度升高或受光照）后，即可挣 挣脱原子核的束缚，成，为自 由电子（带负电），同时共 Si 。 这一现象称为本征激发。 价键中留下一个空位，称，为 温度愈高，晶，体中产生的 本征半导体的导电机理 自由电子便愈多。 空穴（带正电） Si Si 空穴 本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半，导体中将出现两部 分电流 (1)自由电子作定向运动 电子电流 (2)价电子递补空穴 空穴电流 自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一 一定温度下， 载流子的产生和复合达到动态平衡，半， 导体中载流子便维持一定的数 目。 注意： (1)本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差； (2)温度愈高， 载流子的数 目愈多,半导体的导电性能也 就愈好。所以， 温度对半导体器件性能影响很大。 Si Si 掺杂后 自由电子数目大量 增加，自 由电子导电成为 在N型半导体中自由电子是多数 数载流子，空穴是少数载流子。 这种半导体的主要导电方式 式，称为电子半导体或 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形 7.1.2N型半导体和P型半导体 成杂质半导体。 掺入五价元素 型半导体。 多余 电子 N Si 在P 型半导体中空穴是多数载流 流子， 自由电子是少数载流子。 称为空穴半导体或P型半 半导体。 加， 空穴导电成为这种 半导体的主要导电方式， Si Si 无论N型或P型半导体都是中性的，对外，不显电性。 7.1.2N型半导体和P型半导体 掺杂后空穴数 目大量增 掺入三价元素 空穴 Si 1.在杂质半导体中多子的数量与 （a.掺杂浓度、 b.温度）有关。 2.在杂质半导体中少子的数量与 （a.掺杂浓度、 b.温度）有关。 3. 当温度升高时，少子的数量 主要是， bN 型半导体中的电流主要是。 （a. 电子电流、b.空穴电流） （a.减少、b.不变、c.增多）。 4.在外加电压的作用下，P型半导体中的电流 c b a a 7.1.3PN结的形成 载流子的两种运动——扩散运动和漂移运动 扩散运动：电中性的半导体中，载流子从浓 度高的区域向浓度较低区域的运动。 漂移运动：在电场作用下， 载流子有规则的 定向运动。 内电场 少子的漂移运 动 N型半导体 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 浓度差 多子的扩散运 动 的运动最终 达到动态平衡 衡，空间电 荷区的厚度 固定不变。 空间电荷区也称rN 结 形成空间电荷区 PN结的形成 型半导体 r - - - - - - - - - - - - - - - - - - + +