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第一章半导体材料基本性质
第1章半导体材料的基本性质
第一章半导体材料基本性质
1.1半导体与基本晶体结构
1.1.1半导体
导电能力介于导体于绝缘体之间的一些单晶体，就叫半导体。
第一章半导体材料基本性质
半导体材料的基本特性
1.杂质敏感性
2.负温度系数
3.光敏性
4.电场、磁场效应
第一章半导体材料基本性质
1.1.3半导体的晶体结构
晶体结构是指原子在三维空间中周期性排列着的单晶体。
n晶胞：单晶体结构可以用任意一个最基本的单元所代
表，称这个最基本的单元叫晶胞。
n晶格：单晶体是由晶胞在三维空间周期性重复排列而
成，整个晶体就像网格一样，称为晶格。
n格点与点阵，组成晶体的原子重心所在的位置称为格
点，格点的总体称点阵。
第一章半导体材料基本性质
3种常见的立方晶体的晶胞
a）简单立方b）体心立方c）面心立方
第一章半导体材料基本性质
金刚石结构的晶胞与平面示意图
a）金刚石型结构的晶胞b）硅晶体的平面结构示意图
第一章半导体材料基本性质
金刚石型结构
a）正四面体b）结构
第一章半导体材料基本性质
晶面及其表示方法
密勒指数：密勒指数是界定晶体中不同平面的简单办法，
它可以由以下步骤确定：
1.找出晶面在3个直角坐标轴的截距值（以晶格常数为计
量单位）；
2.取这3个截距值的倒数，将其换算成最小的整数比；
3.把结果用圆括号括起来（hkl），
即为该晶面的密勒指数。
第一章半导体材料基本性质
1.1.5半导体材料简介
n材料永远起着决定一代社会科技水平的关键作用
n锗是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料
n硅是最典型、用量最广泛而数量最多的半导体材料
n近年来一些化合物半导体材料已被应用于各种器件的
制作中
n半导体已经发展成为种类繁多的大科门类材料
第一章半导体材料基本性质
半导体的能带
1.2.1孤立原子中电子能级
孤立氢原子中电子能量公式：
m是自由电子的
0
惯性质量；q为电
子电荷；ε为真空
0
介电常数；h为普
朗克常数；n为量
子数取正整数。根
据上式可得氢原子
能级图。
第一章半导体材料基本性质
1.2.2晶体中电子的能带
本节重点讨论有原子结合成晶体时电子的运动规律
1.晶体中电子的共有化运动
价电子轨道重叠运动区域连成一片示意图
第一章半导体材料基本性质
2.晶体中电子能带的形成
N个原子结合成晶体前后的能级状态单个原子的能级与晶体能带的
对应图
第一章半导体材料基本性质
硅晶体能带的形成过程
第一章半导体材料基本性质
1.2.4能带图的意义及简化表示
晶体实际的能带图比较复杂，可以把复杂的能带图进行简化
绝缘体、半导体和导体的简化能带图
a）绝缘
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