计算机组成原理第4章.pptx

计算机组成原理;第4章 主存储器;本章重难点;4.1 主存储器概述; (2)计算机系统中输入输出设备数量增多，数据传送速度加快，因此采用了直接存储器存取(DMA)技术和输人输出通道技术，在存储器与输入输出系统之间直接传送数据。 (3)共享存储器的多处理机的出现，利用存储器存放共享数据，并实现处理机之间的通信，更加强了存储器作为全机中心的作用。 ; 现在大部分计算机中还设置有辅助存储器(简称辅存)或外存储器(简称外存)，通常用来存放主存的副本和当前不在运行的程序和数据。在程序执行过程中，每条指令所需的数据及取下一条指令的操作都不能直接访问辅助存储器。 由于中央处理器是高速器件，而主存的读写速度则慢得多，不少指令的执行速度与主存储器技术的发展密切相关。;二、 主存储器分类;分类：; ;存储容量： 存储器所能记忆信息的多少即存储器所包含记忆单元的总位数称为存储容量。存储芯片内的存储单元个数与该芯片的地址引脚有关。 存取速度 从CPU给出有效的存储地址到存储器给出有效数据所需的时间，一般以ns为单位。存储器芯片的手册中一般要给出典型的存取时间或最大时间。在芯片外壳上标注的型号往往也给出了时间参数，例如2732A-20，表示该芯片的存取时间为20ns。现在内存芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns 功耗 功耗反映了存储器耗电的多少，同时也相应地反映了发热程度（温度会限制集成度的提高）。功耗指每个存储单元所耗的功率，单位为μW/单元，也有用每块芯片总功率来表示功耗的，单位为mW/芯片。;可靠性 以平均无故障时间（MTBF：Mean Time Between Failure ）来衡量。平均无故障时间可以理解为两次故障之间的平均时间间隔 。 性能/价格比 衡量存储器的经济性能，它是存储容量、存取速度、可靠性、价格等的一个综合指标 ;四、主存储器的基本操作;五、半导体存储芯片的组成; R/W;4.2 读/写存储器 (RAM);一、 静态MOS存储单元与存储芯片（SRAM）;（3）工作;（2）内部寻址逻辑;X0;图4.3是用图4.2所示单元组成的16X1位静态存储器的结构图。;(3)开关特性;地址读数时间taAdr 片选读时间taCS 片禁止到输出的传输???迟tPLHCS→ Dout 地址对片选的建立时间tSUAdr→CS;②写周期的参数;2．动态存储器(DRAM) ;单管存储元;若在数据线的一端接上一个高灵敏度的放大器，就可以检测出数据线上的这种不同的变化情况，从而区分出读出来的数据是1还是0。;注意两件事： ;地址端：;单管单元的优点:线路简单，单元占用面积小，速度快。 单管单元的缺点：读出是破坏性的，故读出后要立即对单元进行“重写”，以恢复原信息；单元读出信号很小，要求有高灵敏度的读出放大器。;以16KXl动态存储器为例介绍动态存储器的原理。;再生（刷新）; DRAM采用“读出”方式进行再生。前面已经讲过，对单管单元的读出是一种破坏性读出(若单元中原来充有电荷，读出时，Cs放电)，而接在单元数据线上的读放是一个再生放大器，在读出的同时，读放又使该单元的存储信息自动地得以恢复。由于DRAM每列都有自己的读放，因此，只要依次改变行地址，轮流对存储矩阵的每一行所有单元同时进行读出，当把所有行全部读出一遍，就完成了对存储器的再生(这种再生称行地址再生)。;时序图：;注意 (1)CAS的下沿必须滞后于RAS的下沿.因为靠下沿送入各自的地址寄存器 (2) RAS，CAS的负电平及正电平宽度要求.以保证内部的正常工作 (3)行地址对RAS的下沿以及列地址对CAS的下沿均应有足够的地址建立时间t1,t2和地址保持时间t3，t4。;①读工作方式(WE=1);②写工作方式(WE=0);③读—改写工作方式;④页面工作方式;DRAM与SRAM的比较;4．3 非易失性半导体存储器;EPROM（可擦除可编程ROM）; 2764 EPROM芯片;通用编程器;快擦除读写存储器(Flash Memory)：;快擦除读写存储器于1983年推出，1988年商品化。它兼有ROM和RAM俩者的性能，又有ROM，DRAM一样的高密度。目前价格已略低于DRAM，芯片容量已接近于DRAM，是唯一具有大存储量、非易失性、低价格、可在线改写和高速度(读)等特性的存储器。它是近年来发展很快很有前途的存储器。;4．4 DRAM的研制与发展;1、主板上的内存;2、开山鼻祖——SIMM 内存（Single In-lineMemory Modules，单边接触内存模组） ;386和486时代，此时CPU 已经向16bit 发展，所以30pin SIMM 内存再也无法满足需求，其较低的内存带宽已经成为急待解决